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高速重イオンの電子的スパッタリングによるクラスター粒子生成機構の解明と応用

研究課題

研究課題/領域番号 09480099
研究種目

基盤研究(B)

配分区分補助金
応募区分一般
研究分野 エネルギー学一般・原子力学
研究機関京都大学

研究代表者

今西 信嗣  京都大学, 工学研究科, 教授 (10027138)

研究分担者 今井 誠  京都大学, 工学研究科, 助手 (60263117)
伊藤 秋男  京都大学, 工学研究科, 助教授 (90243055)
研究期間 (年度) 1997 – 1999
研究課題ステータス 完了 (1999年度)
配分額 *注記
3,900千円 (直接経費: 3,900千円)
1999年度: 900千円 (直接経費: 900千円)
1998年度: 3,000千円 (直接経費: 3,000千円)
キーワード電子的スパッタリング / 重イオンビーム / クラスターイオン / 多価単原子イオン / 放出収率 / 放出エネルギー / 飛行時間測定 / 照射効果 / 単原子多価イオン / 2次イオン初期エネルギー / 放出角度分布
研究概要

本研究課題は、高速領域、つまり電子的衝突過程が支配する速度領域で、重イオンを照射した固体から放出するクラスター粒子の電荷分布、質量分布、放出エネルギー分布、放出角度分布を、入射イオン種とターゲット種を系統的に変えて測定し、電子的スパッタリングの機構の解明を行うことが目的である。
(1)入射イオンはSi、CuおよびAg、ターゲットはAI、Si、Al_20_3、SiO_2を用い、飛行時間分析法により2次イオンの質量分布ならびに放出エネルギー分布を求めた。
(2)不導体ターゲットの場合、非常に大きなクラスターイオンが生成されるのに対し、半導体あるいは導体の場合は単原子イオンのみでクラスターイオンはほとんど生成されない。
(3)ターゲットの伝導性に依らず、多価の単原子イオンが放出する。半導体あるいは導体ターゲットの場合、不導体に比べ、単原子イオンの放出エネルギー値は非常に高い。放出エネルギー値は、ターゲットの伝導性に依らず、イオンの価数にほぼ比例する。
(4)不導体ターゲットの場合、発生するクラスターイオンの放出エネルギーは単原子イオンに比べ非常に低く、また、クラスターイオンの系列が同じものは放出エネルギー分布がほぼ等しい。
(5)電子的スパッタリングでは個々の原子移動に結びつく運動量移行は非常に小さいこと、またイオン飛跡周辺部の比較的エネルギー付与が小さく、結合電子が部分的に抜け、結合のはずれたnmスケールの領域が集団として放出するため、固体表面から放出した後もクラスターとして凝集した状態を保つものと考えられる。低エネルギーでの弾性スパッタリングでは巨大クラスターの放出は希有な現象である。
(6)導体あるいは半導体の場合、単原子イオンは、イオン飛跡部の電離した中心部分から、核的少数回カスケード過程を経て放出すると考えられる。一方、不導体の場合は、解離性結合状態を経て、多価単原子イオンが放出するものと考えられる。多価イオンの生成は低エネルギーイオン照射ではほとんどない。

報告書

(4件)
  • 1999 実績報告書   研究成果報告書概要
  • 1998 実績報告書
  • 1997 実績報告書
  • 研究成果

    (27件)

すべて その他

すべて 文献書誌 (27件)

  • [文献書誌] 今西信嗣: "Cluster-Ion Formation by Heavy-Ion-Induced Electronic Sputtering"Proceedings of 14 International Conference on the Application of Accelerators in Research and Industry. 507-510 (1997)

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  • [文献書誌] 今西信嗣: "Electronic Sputtering Process of SiO2under Heavy Ion Bombardment"Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. 135. 424-429 (1998)

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  • [文献書誌] 今西信嗣: "Neutralization of Intermediate-Velocity L1 Emerging from Cs-and Oxygen-Covered Si(100) and GaAs(110) Surfaces"Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. 135. 413-418 (1998)

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  • [文献書誌] 今西信嗣: "Crystallographic Azimuthal-Angle Dependence of the Neutral Fraction of Hydrogen Emerging from GaAs(110)"Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. 1135-1139 (1998)

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  • [文献書誌] 今西信嗣: "Electronic Sputtering from an SiO2 Target Bombarded by Heavy Ions"Proceedings of the 2nd Japan-Russia Symposium on Interaction of Fast Charged Particles. 94-105 (1998)

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      1999 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] 今西信嗣: "TOF Study on Electronic Sputtering of SiO2 Bombarded by MeV Energy Heavy Ions"Atomic Collision Research in Japan Progress Report. 24. 52-53 (1998)

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      1999 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] 今西信嗣: "Electronic Sputtering from an SiO2 Target Bombarded by Heavy Ions"Proceedings of the 15th Inter. Conf. on the Application of Accelerators in Research and Industry. 396-400 (1999)

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      1999 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] 今西信嗣: "Emission Energy Distribution of Secondary Ions Produced through the Electronic Sputtering Process under Heavy Ion Bombardment"Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. (in press). (2000)

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  • [文献書誌] N. Imanishi: "Cluster-Ion Formation by Heavy-Ion-Induced Electronic Sputtering"Proceedings of 14ィイD1thィエD1 International Conference on the Application of Accelerators in Research and Industry. 507-510 (1997)

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      1999 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] N. Imanishi: "Electronic Sputtering Process of SiOィイD22ィエD2 under Heavy Ion Bombardment"Nuclear Instruments and Methods B. 135. 424-429 (1998)

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  • [文献書誌] N. Imanishi: "Neutralization of Intermediate-Velocity Li Emerging from Cs-and Oxygen-Covered Si (100) and GaAs (110) Surfaces"Nuclear Instruments and Methods B. 135. 413-418 (1998)

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  • [文献書誌] N. Imanishi: "Crystallographic Azimuthal-Angle Dependence of the Neutral Fraction of Hydrogen Emerging from GaAs (110)"Nuclear Instruments and Methods B. 136. 1135-1139 (1998)

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      1999 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] N. Imanishi: "Electronic Sputtering from a SiOィイD22ィエD2 Target Bombarded by Heavy Ions"Proceedings of the 2nd Japan-Russia Symposium on Interaction of Fast Charged Particles with Solids. 94-105 (1998)

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      1999 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] N. Imanishi: "TOF Study on Electronic Sputtering of SiOィイD22ィエD2 Bombarded by MeV Energy Heavy Ions."Atomic Collision Research in Japan, Progress Report. 24. 52-53 (1998)

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      1999 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] N. Imanishi: "Electronic Sputtering from an SiOィイD22ィエD2 Target Bombarded by Heavy Ions"Proceedings of 15ィイD1thィエD1 International Conference on the Applicationrs in Research and Industry. 396-400 (1999)

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      1999 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] N. Imanishi: "Emission Energy Distribution of Secondary Ions Produced through the Electronic Sputtering Process under Heavy Ion Bombardment"Nuclear Instruments and Methods B. (in press). (2000)

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      1999 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] 今西信嗣: "Electronic Sputtering from an SiO_2 Target Bombarded by Heavy Ions"Proceedings of the 15th Inter. Conf on the Application of Accelerators in Research and Industry. 396-400 (1999)

    • 関連する報告書
      1999 実績報告書
  • [文献書誌] 今西信嗣: "Emission Energy Distribution of Secondary Ions Produced through the Electronic Sputtering Process under Heavy Ion Bombardment"Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. (in press). (2000)

    • 関連する報告書
      1999 実績報告書
  • [文献書誌] 今西信嗣: "Electronic Sputtering Process of SiO_2 under Heavy Ion Bombardment" Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. 135. 424-429 (1998)

    • 関連する報告書
      1998 実績報告書
  • [文献書誌] 今西信嗣: "Neutralization of Intermediate-Velocity Li Emerging from Cs- and Oxygen-Covered Si(100) and GaAs(110) Surfaces" Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. 135. 413-418 (1998)

    • 関連する報告書
      1998 実績報告書
  • [文献書誌] 今西信嗣: "Crystallographic Azimuthal-Angle Dependence of the Neutral Fraction of Hydrogen Emerging from GaAs(110)" Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. 136. 1135-1139 (1998)

    • 関連する報告書
      1998 実績報告書
  • [文献書誌] 今西信嗣: "Electronic Sputtering from an SiO_2 Target Bombarded by Heavy Ions" Proceedings of the 2^<nd> Japan-Russia Symposium on Interaction of Fast Charged Particles. 94-105 (1998)

    • 関連する報告書
      1998 実績報告書
  • [文献書誌] 今西信嗣: "Electronic Sputtering from an SiO_2 Target Bombarded by Heavy Ions" Proceedings of the 15th Inter.Conf.on the Application of Accelerators in Research and Industry. (in press). (1999)

    • 関連する報告書
      1998 実績報告書
  • [文献書誌] 太田英之: "TOF Study on Electronic Sputtering of SiO_2 Bombarded by MeV Energy Heavy Ions" Atomic Collision Research in Japan,Progress Report. 24. 52-53 (1998)

    • 関連する報告書
      1998 実績報告書
  • [文献書誌] 今西信嗣: "Electronic Sputtering Process of SiO_2 under Heavy Ion Bombardment" Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. B 135. 424-429 (1998)

    • 関連する報告書
      1997 実績報告書
  • [文献書誌] 今西信嗣: "Neutralization of Intermediate-Velocity Li Emerging from Cs- and Oxygen-Covered Si (100) and GaAs (110) Surfaces" Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. B 135. 413-418 (1998)

    • 関連する報告書
      1997 実績報告書
  • [文献書誌] 今西信嗣: "Crystallographic Azimuthal-Angle Dependence of the Neutral Fration of Hydrogen Emerging from GaAs (110)" Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. B 136. 1135-1139 (1998)

    • 関連する報告書
      1997 実績報告書

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公開日: 1998-04-01   更新日: 2016-04-21  

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