| 研究課題/領域番号 |
09555085
|
|---|
| 研究種目 |
基盤研究(B)
|
| 配分区分 | 補助金 |
|---|
| 応募区分 | 展開研究 |
|---|
| 研究分野 |
電力工学・電気機器工学
|
|---|
| 研究機関 | 東京大学 |
|---|
研究代表者 |
日高 邦彦 東京大学, 工学系研究科, 教授 (90181099)
|
|---|
| 研究分担者 |
松岡 成居 東京大学, 工学系研究科, 助手 (10114646)
千葉 政邦 東京大学, 工学系研究科, 助手 (20011140)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
1997 – 1998
|
| 研究課題ステータス |
完了 (1998年度)
|
| 配分額 *注記 |
8,600千円 (直接経費: 8,600千円)
1998年度: 1,900千円 (直接経費: 1,900千円)
1997年度: 6,700千円 (直接経費: 6,700千円)
|
|---|
| キーワード | ファイバー / 結晶 / ポッケルス効果 / 高電圧 / 測定 / 光 / 電位差 / 電界 |
|---|
| 研究概要 |
本研究は「高電圧を分圧し、低電圧にして測定する」という従来の概念を変え、「高電圧を直接測定する」という発想に基づいて、ポッケルス素子利用の新しい高電圧測定装置を提案し、試作することを目的としている。本研究で得られた成果は以下の通りである。
1. 種々のポッケルス結晶について、電圧測定が可能となる光の伝搬方向の解析を行い、また、ファイバ状結晶の製作可能性についても検討を加えた結果、BGO(Bi_4Ge_3O_<12>)を用いてファイバ結晶の作成することにした。
2. BGOを用いて、直径0.9mm、長さ40mmのファイバ結晶の作製に成功した。
3. ファイバ形ボッケルス結晶、光学系(光源、光ファイバ、受光部)、高電圧印加部(電極、ブッシング)、測定部収納容器から構成される新提案の高電圧測定器の試作を行った。
4. 半波長電圧の測定値は理論的に予想される値より1桁程度大きいことが明らかになった。その原因としては、ファイバ結晶の成長過程で生じる結晶内の残留応力などが考えられるが、再現性が確認できるので高電圧測定用の結晶としては有利な半波長電圧を有していると評価できる。
5. センサシステムは、電圧が結晶の軸方向全体に印加されることから、原理的に近接物体の影響を全く受けないという、従来の高電圧測定器では実現できない特長を実験的に検証できた。
6. 雷インパルス電圧の測定結果から、従来のポッケルスセンサでは不可避であるインパルスのピーク以降に現れる振動成分の重畳現象が観測されないことを明らかにした。
7. 直流、交流、インパルス電圧に加えて、立ち上がり3nsの直角波電圧にも正確に応答していることから、直流から100MHzまでの広周波数帯域を有していることを示した。
|
