| 研究課題/領域番号 |
09640388
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
固体物性Ⅰ(光物性・半導体・誘電体)
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
藤沢 正美 東京大学, 物性研究所, 助手 (70126093)
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| 研究分担者 |
手塚 泰久 弘前大学, 物性研究所, 助手 (20236970)
柿崎 明人 物性構造科学研究所, 教授 (60106747)
辛 埴 東京大学, 物性研究所, 助教授 (00162785)
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| 研究期間 (年度) |
1997 – 1998
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| 研究課題ステータス |
完了 (1998年度)
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| 配分額 *注記 |
3,100千円 (直接経費: 3,100千円)
1998年度: 500千円 (直接経費: 500千円)
1997年度: 2,600千円 (直接経費: 2,600千円)
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| キーワード | スピン偏極 / 逆光電子分光 / 偏極電子源 / spectroscopy |
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| 研究概要 |
本年度は、電子銃の製作を行った。偏極電子源のNEA(負電子親和力)カソードに、GaAsPの結晶を用い、カソードにCsを真空中で蒸着することによって仕事関数を低下させ、負電子親和力状態にした。
実験は、軟X線発光分光器を用いて行われた。この軟X線発光分光器は我々によって自作された分光器である。
CePd_7は近藤温度が1万度近く、もつとも近藤温度が高い物質の1つであるが、共鳴逆光電子分光の結果、4f^0と4f^1状態(逆光電子の終状態では4f^1と4f^2状態)が著しく共鳴していることが観測され、予想どうり4f電子数がかなり小さい価数揺動状態であることが判明した。この結果は、4f状態がバンド構造で説明されるよりは、局在した状態であることを示している。更に、共鳴逆光電子分光の角度依存性を測定したところ、表面付近では、バルクの状態と比べ、4fが局在しており、4f^1状態の強度が強くなっている事がわかった。このことは、遍歴性が高い4f物質の一般的な特徴であると思われる。スペクトル形状は、小谷らの不純物アンダーソンモデルを用いた計算と比較した結果、よく一致していることがわかった。また、角度依存性の実験結果も計算で良く説明され、バルクと表面のパラメーターの違いが明らかになった。
また、CePd_3の共鳴光電子分光を測り、その温度変化を測った。スペクトルの変化は、近藤温度を境にして、4f^0と4f^1の混成の比率が変化したことを表している。この実験方法は、4f^0と4f^1の混成の比率を直接求める有力な方法であることがわかった。
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