| 研究課題/領域番号 |
09640401
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
固体物性Ⅰ(光物性・半導体・誘電体)
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| 研究機関 | 九州工業大学 |
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研究代表者 |
稲永 征司 九州工業大学, 工学部, 助手 (30093959)
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| 研究分担者 |
並木 章 九州工業大学, 工学部, 教授 (40126941)
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| 研究期間 (年度) |
1997 – 1998
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| 研究課題ステータス |
完了 (1998年度)
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| 配分額 *注記 |
3,600千円 (直接経費: 3,600千円)
1998年度: 500千円 (直接経費: 500千円)
1997年度: 3,100千円 (直接経費: 3,100千円)
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| キーワード | Pt表面反応 / 酸素と水素の反応 / BZ反応 / 酸化還元反応 / COと酸素の反応 / 水素引抜き反応 / 酸素照射 / 表面反応 / 水素脱離 / 非線形反応 / 一酸化炭素の酸化 |
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| 研究概要 |
1、Pt(111)表面にD原子を照射した場合D原子が表面サイトに吸着される以外に表面近傍の結晶内にも吸収されることを確認し、TPD(昇温脱離)で脱離してくるD_2のメカニズムを検討し2次反応であることを解明した。
2、(1)O吸着Pt(111)表面のD原子照射後TPDによるD_2Oの脱離、また逆に(2)D吸着Pt(111)表面のO原子照射後TPDによるD_2Oの脱離はともにTPDで170Kと210Kのピーク温度をもつが下記のように異なった脱離メカニズムであることを解明した。
(1)については
(1)D原子の照射が多いと表面上にD_2Oが形成され化学吸着した状態からTPDで170Kのピーク温度で脱離。
(2)D原子の照射が少ないと表面上にO・Dボンドが形成され210KでD_2Oを生成して脱離。
(2)は(1)と異なって最初のD原子照射のときバルク内にDが吸収されている。
(1)150Kでバルク内のDが表面に表れ始め表面に形成されているO・Dボンドと反応してD_2Oを生成し170Kをピークとする脱離を生じる。
(2)表面上に吸着したD原子が加熱が始まると拡散し、表面に吸着したO原子と結合してO・Dボンドを形成する。更に加熱が進むと210KでD_2Oを生成し脱離が起こる。
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