| 研究課題/領域番号 |
09640421
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
固体物性Ⅱ(磁性・金属・低温)
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
柄木 良友 東京大学, 物性研究所, 助手 (30186027)
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| 研究期間 (年度) |
1997 – 1998
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| 研究課題ステータス |
完了 (1998年度)
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| 配分額 *注記 |
3,400千円 (直接経費: 3,400千円)
1998年度: 200千円 (直接経費: 200千円)
1997年度: 3,200千円 (直接経費: 3,200千円)
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| キーワード | バン・ブレック常磁性 / 増強核磁性 / PrIn_3 / 核反強磁性 / RKKY相互作用 / 核四重極相互作用 / 電気抵抗 / 核磁化 / 増強核磁性体 / 核反強磁性体 / 四重極モーメント / 超低温 / 核スピン / 電気四重極相互作用 / インジウム核スピン / 結晶電場 |
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| 研究概要 |
増強核磁性体は核スピンが超微細結合を介してVan Vleck常磁性電子スピンと強く結合している系であり 核スピン相互作用が電子スピンの影響を受け増強される。したがって核オーダの温度はCuなどの通常金属核とくらべて1000倍以上高くなる。 PrIn_3は我々の比熱測定から0.14mkで増強核オーダーが観測された。そこで本研究により PrIn_3の磁化、電気抵抗を詳しく調べた。
SQUIDを使ったac帯磁率、磁化を〔111〕方向で測定した。転移点T=0.14mkで帯磁率の発散がないこと 自発磁化が見られないことからPrIn_3は反強磁性であることがわかった。大阪市大石井らの理論によるとT_N以下で垂直帯磁率が増加していることから スピン配列は(111)方向が困難軸のシンソイダルであると結論される。 この核スピン配列は4f電子系のRKKY相互作用の特徴を示しており 本研究によりはじめて見つかった。
SQUIDを使ったAC4端子法により単結晶の電気抵抗を測定した。電流の方向はほぼ〔111〕方向である。T_Nでは変化は見られなかった。しかし 約3mKに電気抵抗の極小が見られた。3mK以下0.1mKまでゆるやかに抵抗が増加し 0.1mK以下で抵抗値が飽和する。このような超低温での抵抗の異常は今回初めて観測された。 PrIn_3のInの核四重極相互作用は非常に大きいため四重極モーメントの伝導電子による錯乱が観測できたと考えられる。
以上述べたように本研究では金属増強核オーダーで はじめて異方性、スピン配列まで研究し さらに超低温での四重極モーメントの電気抵抗たいする寄与をはじめて研究した。
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