| 研究概要 |
ポリシランは主鎖上に存在するσ共役ドメイン間のホッピングにより生孔移動を行うため、主鎖が規則正しく配向することにより2桁程度移動度が速くなると言われている。この研究では強磁界を利用したポリシラン主鎖の配向を試み以下の結果を得た。
1)0〜12テスラの磁界下で、ポリシラン溶液の紫外吸収の吸光度変化を調べた。ポリシランの紫外吸収はσ共役ドメインが原因となっており、その異方性のため光の進行方向が主鎖に対して垂直の時吸光度が一番大きくなる。このことを利用して、いくつかのポリシラン(poly(methylphenylsilane),poly(methylviphenylsilane),ploy(methy14,7,10,13-tetraoxatetradecylsilane))の主鎖が磁場に垂直の方向に並ぶことを初めて見出した。
2)5テスラ、12テスラの磁界下でポリシラン感光体を作製し、タイム・オブ・フライト法により正孔移動度を測定した。これらの移動度の温度依存性、電界依存性をDisorder formalismにより解析を行った結果、ポリシラン主鎖が磁界に垂直に配列しているモデルにより説明することが出来た。
3)SQUIDを用いてポリシランの磁化率を測定した。測定値をパスカルの加成側による計算値と比べると、反磁性磁化率が大きく、これはポリシラン主鎖上のσ共役の実験的証拠の一つと考えられる。
実際の応用では、感光体膜面と磁場と平行(感光体ドラムを磁場に平行)に設置すれば、正孔移動度の向上が期待される。
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