| 研究課題/領域番号 |
09650014
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
播磨 弘 大阪大学, 工学研究科, 助教授 (00107351)
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| 研究分担者 |
木曽田 賢治 大阪大学, 工学研究科, 助手 (90243188)
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| 研究期間 (年度) |
1997 – 1998
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| 研究課題ステータス |
完了 (1998年度)
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| 配分額 *注記 |
3,100千円 (直接経費: 3,100千円)
1998年度: 200千円 (直接経費: 200千円)
1997年度: 2,900千円 (直接経費: 2,900千円)
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| キーワード | ラマン散乱 / 変調反射 / GaN / InGaN / AlGaN / 混晶 / 歪み / phonon |
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| 研究概要 |
1. 紫外・可視励起顕微変調反射・ラマン散乱測定システムの立ち上げ;
研究室現有の顕微鏡装置について紫外励起仕様への改造を行った。主要な改造ポイントは励起レーザー光導入部とラマン散乱光の分光器への集光部である。
GaN結晶やGaAs結晶を用いて、システムの基本性能を確認した。その結果、ほぼ当初の期待された性能を有していることが確認された。
2. PL・変調反射・ラマン散乱分光法によるInGaNの混晶比と歪みの評価;
ラマン測定によってInGaN混晶のフォノンモードを測定して、その振動周波数からInの組成比を見積もる方法を開発した。この際、Hot Wall Epitaxy法によって低温成長GaN層をはさんでサファイア基板上に直接成長したものと、CVD法によってぶ厚いGaN結晶層をはさんで成長させだものとの両方を比較して、InGaN相に及ぼす歪みの効果を検証した。その結果、前者の製法では歪みの影響の少ないことがわかった。
一方、フォトルミネッセンス(PL)、および変調反射分光法によって、バンドギャップエネルギーの混晶比依存性を調べた。これまでのところ、Hot Wall Epitaxy法によって低温成長GaN層をはさんでサファイア基板上に直接成長したものでは試料の結晶性が良好でないために、明確な依存性は見出されていない。
3. n型およびp型GaNにおける歪みと電気的特性の評価;
研究室現有の可視光励起顕微ラマン散乱装置を用いて上記の測定を行った。歪み測定では横光学モードピーク周波数測定から、試料について平均して1GPa程度の2次元面内圧縮応力が働いていることがわかった。
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