| 研究課題/領域番号 |
09650018
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 九州工業大学 |
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研究代表者 |
鈴木 芳文 九州工業大学, 工学部, 助教授 (10206550)
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| 研究分担者 |
近浦 吉則 九州工業大学, 工学部, 教授 (40016168)
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| 研究期間 (年度) |
1997 – 1998
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| 研究課題ステータス |
完了 (1998年度)
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| 配分額 *注記 |
3,200千円 (直接経費: 3,200千円)
1998年度: 400千円 (直接経費: 400千円)
1997年度: 2,800千円 (直接経費: 2,800千円)
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| キーワード | X線散乱トポグラフ / 格子不整系半導体エピタキシャル膜 / 窒化ガリウム / 計算機シミュレーション / 深さ分解トポグラフ / gallium nitride |
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| 研究概要 |
X線散乱トポグラフィはX線散乱ラジオグラフィの範躊の中に入るX線顕微法のことである。そのX線散乱ラジオグラフィ法は、本研究者らが提案し、多結晶の一般実用材料,単結晶の応力検査による歪分布,珪素鋼の分城構造分布及び格子不整系半導体エビタキシャル膜での結晶成長と欠陥導入の関係等での結晶学的研究に成果を示してきた。エビタキシャル膜の深さ方向に対する欠陥の振舞いについては、その手段は確立されていなかった。上記表題を達成するために(1)X線波動場の理論計算機シミュレーション、(2)GaAs基板上のGaNエビタキシャルの構造を調べ、(3)測定用システムの再構築にとりかかった。
エビタキシャル膜の深さ方向に関しては、動力学回折理論の計算機シミュレーションを行い、バルクの延長としてエビタキシャル膜の取扱いでは問題があり膜独自の計算が必要であることを見出した。さ毛に白色トボグラフを含めて系統的なデータ取得を行った。
短波長発光材料であるGaAs基板上のGaN膜の深さ方向分解の構造を調べるために極微小角X線回折を行い、構造多形(閃亜鉛鉱型・ウルツァイト鉱型)が深さ方向に観察されるものの結晶の対称性からは必ずしも説明できない結果を得た。そこで、GaAs基板上とGaNの結晶結合について、逆格子空間マップの測定を行い、GaNエビタキシャル膜の定量的なデータを得、この膜特有の性質を見い出した。
新たに購入したCCDカメラをX線散乱トポグラフィ装置に組み込み、画像取得、データ処理のためのソフトウエアを新たに組み上げた。2次元測定ならびにより高い空間分解能を生かした新しい測定法を提案できた。横方向空間分解能を上げるためのキーテクノロジーとなる非対称回折を利用した縮小光学系による平面波マイクロビーム形成についての基礎的研究も付随して行った。シンクロトロン放射光をも利用する予定である。
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