| 研究課題/領域番号 |
09650037
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
表面界面物性
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| 研究機関 | 岡崎国立共同研究機構 |
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研究代表者 |
宇理須 恒雄 岡崎国立共同研究機構, 分子科研究所, 教授 (50249950)
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| 研究分担者 |
間瀬 一彦 岡崎国立共同研究機構, 分子科研究所, 助手 (40241244)
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| 研究期間 (年度) |
1997 – 1999
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| 研究課題ステータス |
完了 (1999年度)
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| 配分額 *注記 |
1,700千円 (直接経費: 1,700千円)
1999年度: 500千円 (直接経費: 500千円)
1998年度: 700千円 (直接経費: 700千円)
1997年度: 500千円 (直接経費: 500千円)
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| キーワード | 放射光 / 内殻電子励起 / STM / BML-IRRAS / ナノ構造 / Si / 多層膜ミラー / 多層膜ミラー分光器 / 走査トンネル顕微鏡 |
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| 研究概要 |
放射光励起(内殻電子励起)表面反応によって修飾された表面を原子分子レベルで解析し、その特徴を解明するとともに、その結果を利用してユニークな新物質を創製することを目指して研究を進めた。結果的に(1)原子分子レベルでの解析技術として、埋め込み金属基盤を利用した赤外反射吸収分光法(BML-IRRAS)の開発と放射光励起反応の走査トンネル電子顕微鏡(STM)による解析、(2)励起波長依存性を調べるための多層膜ミラー分光器の開発、(3)放射光励起の特徴を利用した、新しい、熱平衡ナノ構造表面形成技術の開発を達成した。以下各々の成果の要点をまとめる。
1.BML-IRRAS;半導体表面の高感度振動分光法として、従来のATR法では測れない指紋領域までカバーした広い波長範囲を測れる新しい手法としてのBML-IRRAS法を開発した。これを用い、これまで解明されていなかった、水素を吸着したSi単結晶表面の構造とその放射光照射による変化を明らかにした。
2.STM;放射光照射により、通常の熱反応による表面清浄化では得られない、熱平衡なSi表面が得られることを発見した。これは放射光による励起のため、表面のSi原子が動きやすくなったためで、新しい表面清浄化方法を提案した。
3.多層膜ミラー分光器;放射光励起反応の励起エネルギー依存性の研究に利用できる高フラックスな分光器として、Mo/Si多層膜ミラー用いた分光器を開発した。放射光励起Al膜体積の励起エネルギー依存性の測定に応用した。
4.ナノ構造表面形成;上記(2)の結果とSi表面の自己組織化現象をからめて、間隔20-30mmで配置された深さ数mmの線状パタンの熱平衡ナノ構造を形成した。
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