| 研究課題/領域番号 |
09650067
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物理学一般
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| 研究機関 | 東海大学 |
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研究代表者 |
若木 守明 東海大学, 工学部, 教授 (20100993)
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| 研究分担者 |
村上 佳久 筑波技術短期大学, 視覚部, 助手 (30229976)
小川 力 (財)応用光学研究所, 研究員 (80015750)
渋谷 猛久 東海大学, 工学部, 講師 (90235599)
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| 研究期間 (年度) |
1997 – 1998
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| 研究課題ステータス |
完了 (1998年度)
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| 配分額 *注記 |
3,500千円 (直接経費: 3,500千円)
1998年度: 1,900千円 (直接経費: 1,900千円)
1997年度: 1,600千円 (直接経費: 1,600千円)
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| キーワード | フォトドーピング / カルコゲナイドガラス / As_2S_3 / GeS_2 / 偏光解析 / 電場効果 / プラズモン共鳴 / 光導波路 / フォトド-ピング / 電子線ド-ピング |
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| 研究概要 |
フォトドーピング現象の光導波路への応用を意図し、ノンドープ層と金属ドープ層の物性ならびに拡散過程における金属の拡散プロフィールの把握を目的に、Ag/As_2S_3の二重層について、「偏光解析測定」「電子線ドープ観測」「プラズモン共鳴測定」を行い、それらのデータの解析を行った。偏光解析測定では偏光解析パラメーター(Δ,Ψ)に特徴的時間推移を観測し、それらのシミュレーション解析によって、膜厚と光学定数に既に我々が報告したと同様の振る舞いを確認した。走査電子顕微鏡を用いて行った電子線によるドーピングでも光によるドーピングと同じような拡散過程が認められ、微細構造の加工への期待を持たせた。プラズモン共鳴測定では共鳴線の敏感な時間推移が解析を複雑にして、クラスター層を含む4層モデルでのフィッティングにまでは現在至っていない。しかし、この手法のフォトドーピング現象解明への有効性を明らかにできた。
偏光解析に関連して、As_2S_3膜の熱ならびに光による処理履歴の違いを単色エリプソメトリーによって精密に調べた。分光エリプソメトリーのその場観察を行い、ドープ層についての波長分散を解析し、従来得られた結果を確認し、4層モデルをより支持する結果を得た。また、分光エリプソメーターを用い電場効果の測定を行った。電場効果は認められ、興味深い振る舞いを示した。詳細な解析は現在進行中である。
光導波路の試作ならびに評価に関しては、カルコゲナイドガラス膜のドープ前の膜の赤外域での導波特性を調べた。As_2S_3薄膜は一般に光構造変化を起こし易いが、その効果が赤外領域では軽減されることを確かめた。可視領域で利用できる光導波路の基礎研究として、GeS_2薄膜を作製し、基本的な物理特性を評価した。フォトドーピングの基礎実験を行い、今後に期待がもてる結果を得た。
これらの結果を1997年10月および1998年10月の米国光学会年会、1998年9月の日本光学会 '98学術講演会で発表し、東海大学紀要工学部Vo1.38,No.1(1998)にまとめた。成果の一部を、Jpn.J.Appl.Phys.に投稿中である。
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