| 研究課題/領域番号 |
09650343
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | (財)国際科学振興財団 |
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研究代表者 |
南日 康夫 国際科学振興財団, 研究開発部, 専任研究員 (10133026)
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| 研究分担者 |
大井川 治宏 筑波大学, 物理工学系, 講師 (60223715)
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| 研究期間 (年度) |
1997 – 1998
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| 研究課題ステータス |
完了 (1998年度)
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| 配分額 *注記 |
3,400千円 (直接経費: 3,400千円)
1998年度: 1,000千円 (直接経費: 1,000千円)
1997年度: 2,400千円 (直接経費: 2,400千円)
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| キーワード | GaAs / 低欠陥密度 / LPE / 多硫化アンモニウム / 表面処理 / 低結晶成長温度 / 液相エピタキシイ / 温度差法結晶成長 / 低温液相結晶成長 / 超低欠陥 / 結晶成長 / いおう表面処理 / 温度差液相成長 |
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| 研究概要 |
Gaリッチ条件で、結晶成長温度を下げることによって,構造欠陥密度の低いGaAs単結晶が得られる筈だとの見込みにたって、液相エピタキシー(LPE)の結晶成長温度の低下を目指した。手段としては、温度差法LPEを採用した。成長表面はに取っ手有害な酸素の吸着に対して有効性が確かめられた多硫化アンモニューム溶液処理を行った。温度の高い源板と成長基板の間にバイアス電流を印加し結晶成長をモデファイした。
実験の結果として、バイアス電流を印加する事によって、低い温度でも,GaAs結晶が成長することが確かめられた。成長の最低温度の限度は確かめられていないが、214℃での成長が認められており、これは今までの世界記録であると思う。
しかし、成長結晶のサイズは、数百ミクロンであり、結晶の物性を測定することは出来なかった。この結晶の大きさを増大させるためには、処理表面の有効性を保つための工夫、すなわち結晶成長室を、超真空状態にたもつひつようがある。
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