| 研究課題/領域番号 |
09650719
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
金属物性
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| 研究機関 | 広島大学 |
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研究代表者 |
中道 功 広島大学, 理学部, 助手 (40142335)
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| 研究分担者 |
藤田 敏三 広島大学, 大学院・先端物質科学研究科, 教授 (20004369)
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| 研究期間 (年度) |
1997 – 1998
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| 研究課題ステータス |
完了 (1998年度)
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| 配分額 *注記 |
3,900千円 (直接経費: 3,900千円)
1998年度: 700千円 (直接経費: 700千円)
1997年度: 3,200千円 (直接経費: 3,200千円)
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| キーワード | 結晶界面 / 電気抵抗 / SQUID / アルミニウム / 転位 |
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| 研究概要 |
抵抗比30,000の超高純度アルミニウム双結晶を歪み焼純法により作製し、単一結晶界面(結晶粒界・境界)の電気抵抗を超伝導量子干渉計(SQUID)で4.2Kで測定した。これは、不純物偏析のない本来の界面構造を反映した抵抗値を与える。界面の回転軸・回転角・界面方位等はX線回析で求めた。これから次を見出した。
1.界面抵抗は界面のタイプに依存し、小角粒界・大角一般粒界・対応粒界・整合双晶境界の4つに分類できる。
2.小角粒界は転位という線状の格子欠陥かつ刃状転位と螺旋転位の2種で構成されえちるとする転位モデルが確立している。その転位密度は、それぞれsin(θ/2)とsin(φ/2)に比例するので、粒界の比抵抗ρgbは次式で表されると予測され,実験と比較すると小角粒界のみならず、大角一般粒界および対応粒界にもこの式が良く当てはまることが分かった。 ρgb=Asin(θ/2)+Bsin(φ/2) (θ;傾角、φ:ねじり角)
3.上の式のA,Bの小角粒界に対する値から得た小角粒界中転位の比抵抗は結晶中のそれと一致する。これは、粒界の電気抵抗は転位によって生じることを示している。4.粒界抵抗は回転角が22°と26°の間で遷移し、これは転位心が触れ合い始める角度と一致する。5.転位は、非常に乱れた半径数Aの転位心とμmに及び長距離歪みから成るが、項3、4の事実は転位の抵抗が長距離歪みでなく、転位心から生じることを示している。6.項2の事実は、転位モデルが殆ど全ての粒界に当てはまることを示し、従来の定説を覆すものである。7.双晶境界の抵抗は他より一桁小さく、整合双晶面である{111}面からのずれの角度に比例して大きくなる。これは、整合双晶に部分転位が重畳したものとして解析でき、他研究者の高分解能電子顕微鏡観察と一致する。
さらに、共同研究者、藤田敏三は上記とは別に強相関物質の超伝導に関し成果を得た。
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