| 研究課題/領域番号 |
09650798
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
材料加工・処理
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| 研究機関 | 山口東京理科大学 |
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研究代表者 |
中山 登史男 山口東京理科大学, 基礎工学部, 教授 (40084397)
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| 研究分担者 |
西川 英一 東京理科大学, 工学部, 講師 (80277277)
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| 研究期間 (年度) |
1997 – 1998
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| 研究課題ステータス |
完了 (1998年度)
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| 配分額 *注記 |
2,900千円 (直接経費: 2,900千円)
1998年度: 500千円 (直接経費: 500千円)
1997年度: 2,400千円 (直接経費: 2,400千円)
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| キーワード | マイクロスパックリング / エッチング / 薄膜形成 / ミリ加工 / ミクロ加工 / 連続加工 / ペニング放電マイクロスパッタリング / マイクロスパッタリング / ミクロン加工 / 炭化物薄膜 / 窒化物薄膜 / 付着力 / 対摩耗性 |
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| 研究概要 |
マイクロ・スパッタリング技術を用いて、真空容器内の基板を直線的の移動させることで、連続して薄膜形成するための研究を行った。基板にはスライドガラス(38×12mm)、陰極ターゲットには純度99.99%の銀(Ag)を用い、平衡アルゴンガス圧力3×10-2Pa、印加電圧1.3kV、放電電流5mAの実験条件で、1回の薄膜形成時間2分で行った。陰極に設けたダクトのサイズを1.5×3mm、0.5×3mmとした場合に、それぞれ1.5mmずつ基板を移動させることで、30分の形成時間で1.5×20mm、0.5×17mmの銀薄膜を形成することができた。移動方向の膜圧分布は900Aとほぼ均一であった。この結果、基板を直線移動させることで、連続して薄膜を形成できることが確かめられた。引き続き、マイクロ・スパッタリング技術のエッチングモードに対しても連続エッチングの検討も行った。単結晶シリコン基板に、Ag陰極を用いてエッチングサイズФ100μm、Ф25μmのスポット経で、基板を回転させることにより、曲線のエッチングパタンを描かせることができた。上記の事実を基本に、新しいエッチング、スパッタリングを連続的に行える装置を設計し試作し、実験を行った。その結果、試料を移動させながら実験を進めたところ、エッチング面をスパッタリングさせることが可能であることがわかった。蒸着幕厚さと放電時間との関係はほぼ直線関係にあことが示された。
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