| 研究課題/領域番号 |
09650886
|
|---|
| 研究種目 |
基盤研究(C)
|
| 配分区分 | 補助金 |
|---|
| 応募区分 | 一般 |
|---|
| 研究分野 |
工業分析化学
|
|---|
| 研究機関 | 東京大学 |
|---|
研究代表者 |
石井 秀司 東京大学, 生産技術研究所, 助手 (30251466)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
1997 – 1998
|
| 研究課題ステータス |
完了 (1998年度)
|
| 配分額 *注記 |
3,400千円 (直接経費: 3,400千円)
1998年度: 1,100千円 (直接経費: 1,100千円)
1997年度: 2,300千円 (直接経費: 2,300千円)
|
|---|
| キーワード | 光電子回折 / 薄膜界面構造 / 化学状態 / 酸化物薄膜 / 構造解析 / シンクロトロン放射 / エピタキシャル薄膜 / 薄膜成長 / 光電子回析 / 金属 / 絶縁体 界面 / 酸化物 |
|---|
| 研究概要 |
1. 金属/絶縁体薄膜界面を含む種々の薄膜界面反応の検討・実験
当初の目標はAl/SiO_2界面であったが、それぞれの薄膜自身が秩序構造を保ちながら薄膜成長をしないことが明らかになったために、以下の薄膜界面の界面構造や界面反応過程を調べるための実験的な基礎検討を行った。
a. Cu/Ge(111)系の界面構造(不整合構造での界面構造解析、熱反応)
不整合構造を持つCu/Ge(111)系の界面構造を調べた。Cuを2.0ML蒸着させた系では、ドメイン内でCuが2層構造を形成し、最上層は0.6A下方緩和することがわかった。また、蒸着量を変化させた実験より、初期から2層構造で成長することがわかった。また加熱により形成したCuとGeと合金相の予備測定も行った。
b. CaF_2/Ge(111)系の界面構造(欠陥構造を伴う界面反応)
CaF_2/Ge(111)系の構造を光電子回折により調べた。また最表面に電子線照射により生成した金属Ca層の構造を、シンクロトロン放射光を用いて、光電子回折の角度・エネルギー依存性から測定した。金属Ca層の酸化後の構造も同様に調べた。
2. 薄膜成長システムの構築
10年度購入したクヌーセンセルを既存の光電子回折-薄膜成長解析装置に組込み、多元系薄膜蒸着を可能とした。同時に、下地基盤原子を蒸着し、よく制御された基盤表面を作り出すことで、良質の薄膜成長が可能となった。その結果、SrF_2/Ge(111)やCaF_2/Ge(111)などの薄膜を制御良く成長させ、その構造や状態、薄膜成長のプロセスをX線光電子回折法により明らかにした。
3. XPED測定の高速化についての基礎的検討
界面反応を精度良くとらえるためには、従来のplot by plotの測定法では不充分であり、2次元同時検出システムによる光電子回折測定の高速化の理論的・実験的研究を行った。また光電子のロスの少ない新しいタイプの電子レンズの理論的検討を行った。
|
