| 研究概要 |
芳香族架橋配位子ならびに塩化物架橋配位子をもつロジウムならびにイリジウム多核錯体を合成し、これらの結晶構造を調べて、金属電子と配位子電子間の分子内・分子間相互作用と性質について検討し、以下のような成果を得た。1。Rh(II)複核ユニット2つを塩化物イオンで架橋させた新しいロジウム4核骨格を初めて合成し, その幾何構造,電子スペクトル,酸化還元挙動等の物理化学的性質を明らかにした。また,この新しい錯体が触媒作用を示すことを明らかにした。 2。ロジウム複核錯体において、(1)金属原子間σ電子は軸配位子上に大きく非局在化し,(2)金属原子間δ電子は架橋配位子π系上に中程度に非局在化し,(3)金属原子間π電子は金属上に局在していることを明らかにした。 3。電子供与性の芳香族架橋配位子をもつイリジウム複核錯体において、(1)錯体の酸化電位が著しく下がること,(2)イリジウム原子間距離が短くなることを明らかにした。 4。芳香族架橋配位子をもつロジウム複核錯体力チオンラジカル塩におけるスピン分布ならびに結晶構造と磁性や電気伝導度等の物性とを比較し,(1)金属原子上のスピン密度が芳香族配位子π系上に非局在化していること,(2)ラジカル塩結晶において芳香族配位子が隣接分子間でπスタッキング構造を取ること,(3)このπスタッキング構造においてスピン密度が大きな原子同士が分子間で近接している結晶では反磁性的分子間相互作用が生じていること,(4)これらの結晶の電気伝導度が室温においては反磁性的分子間10^<-7>Scm^<-1>程度であることを明かにした。 5。シリルならびにスタニル配位子をもつ白金ならびにパラジウム錯体の早い単分子異性化反応を明らかにした。これらの結果は,金属原子と配位子にまたがる相互作用電子系の応用による機能性素材開発の可能性を示す。
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