| 研究課題/領域番号 |
09650964
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
合成化学
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| 研究機関 | 東京都立大学 |
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研究代表者 |
山岸 敬道 東京都立大学, 大学院・工学研究科, 教授 (70087302)
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| 研究分担者 |
YAMAGISHI Takamichi Tokyo Metropolitan University, Graduate School of Engineering, Department of App (70087302)
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| 研究期間 (年度) |
1997 – 1998
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| 研究課題ステータス |
完了 (1998年度)
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| 配分額 *注記 |
3,300千円 (直接経費: 3,300千円)
1998年度: 1,300千円 (直接経費: 1,300千円)
1997年度: 2,000千円 (直接経費: 2,000千円)
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| キーワード | N-P-N配位子 / ホスフィンジアミン配位子 / ビスオキサゾリニルホスフィン配位子 / 選択的配位 / リン不斉中心 / 不斉水素化 / 不斉アリルアルキル化 / ビスオキサゾリルホスフィン配位子 / 不斉誘導 / 不斉ヒドロシリル化 |
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| 研究概要 |
Y-P-Y型の骨格を持つ配位子において、配位子に不斉炭素を導入することで、二つのYの内の一方を選択的に配位させ、可能な二つのジアステレオマー錯体の一方を選択的に生じさせ得る。これによりリンがキラルとなり効率的不斉場が構築される。本研究は、効率的不斉場を構築するためにY-P-Y型の基本骨格を持ち金属への選択的配位でリンがキラルとなる不斉配位子を設計し、それを用いた効率的不斉触媒反応系を開発することを目的とする。
Y-P-Y型配位子として光学活性フェネチルアミンユニットを持つN-P-N型不斉ホスフィンジアミン配位子1((S,S)-R-P[o-(Me_2N(Me)CH)C_6H_4]_2:R=Ph,^iPr,Et等)およびビスオキサゾリニルホスフィン配位子2を合成し、これを用いて各種遷移金属への選択的配位を検討した。ホスフィンジアミン配位子およびビスオキサゾリニルホスフィン配位子は共にロジウム(I)、パラジウム(II)、白金(II)への配位に際して一方のジアステレオマー錯体を選択的に生成させることができた。さらにホスフィンジアミン配位子において不斉窒素を持つものを合成し、金属への選択的配位により不斉なリンの構築と共に不斉窒素の固定が可能になることを示した。従来選択性の低いアクリル酸誘導体の不斉水素化ではロジウム(I)-(S,S)-^iPr-P[o-(Me_2N(Me)CH)C_6H_4]_2錯体を用いることで95%eeの高い選択性を得ている。パラジウム触媒による不斉アリルアルキル化では配位子により生成物の絶対配置が逆転し、配位子中の置換基によってN-ユニットの選択的配位が異なり生じるP-chiralityが異なることが示された。
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