プラズマプロセスにより作製したシリコン量子ドットの物性評価と電子デバイスへの応用

• 研究課題/領域番号: 09750343
• 研究種目: 奨励研究(A)
• 配分区分: 補助金
• 研究分野: 電子・電気材料工学
• 研究機関: 東京工業大学
• 研究代表者: 伊藤 明 東工大, 工学部, 助手 (30282833)
• 研究期間 (年度): 1997
• 研究課題ステータス: 完了 (1997年度)
• 配分額: 1,900千円 (直接経費: 1,900千円); 1997年度: 1,900千円 (直接経費: 1,900千円)