高誘電体薄膜の超高清浄シリコン基板上への形成

• 研究課題/領域番号: 09750380
• 研究種目: 奨励研究(A)
• 配分区分: 補助金
• 研究分野: 電子デバイス・機器工学
• 研究機関: 東京工業大学
• 研究代表者: 大見 俊一郎 東工大, 精密工学研究所, 助手 (30282859)
• 研究期間 (年度): 1997
• 研究課題ステータス: 完了 (1997年度)
• 配分額: 1,200千円 (直接経費: 1,200千円); 1997年度: 1,200千円 (直接経費: 1,200千円)