| 研究課題/領域番号 |
09750885
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| 研究種目 |
奨励研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
工業分析化学
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
早川 慎二郎 東京大学, 大学院・工学系研究科, 助手 (80222222)
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| 研究期間 (年度) |
1997 – 1998
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| 研究課題ステータス |
完了 (1998年度)
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| 配分額 *注記 |
2,100千円 (直接経費: 2,100千円)
1998年度: 1,000千円 (直接経費: 1,000千円)
1997年度: 1,100千円 (直接経費: 1,100千円)
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| キーワード | X線励起電流 / 放出電子 / XAFS / 表面分析 / 表面 / オ-ジュ電子 |
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| 研究概要 |
昨年度に開発を行った放出電子カウンターを用いてHe+10%メタン雰囲気中でMo、Ni箔などからの放出電子をパルスとして検出することに成功し、ガス雰囲気中での放出電子分光を実現した、また、分析深さを検討した結果、12.5nm程度の分析深さであることが明らかになった。
本年度は開発した放出電子カウンターを用いてXAFS測定への応用を行った。X線励起電流検出によるXAFS測定の特徴は表面敏感な点にあるが、蛍光X線収量法では問題となる自己吸収効果によるXAFSスペクトルの変形が生じない点で透過法と同様な信頼性の高いデータを得ることができる事を明らかにした。また、自作したカウンターでは試料をカウンターの内部に設置するため計数率の面でも有利である。このような特徴を生かして回転陽極型のX線発生装置を用いてXAFS測定を実現することができた。
本研究では目的とした成果を上げることができたが、さらに今後の展開として試料雰囲気を制御しながら放出電子測定を行うことのできるチャンバーを作成中である。このチャンバーを用いて酸化、還元反応や腐食反応による表面の変化を追跡する予定である。
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