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反射赤外光弾性法を用いた半導体プロセス誘起歪みの測定

研究課題

研究課題/領域番号 09875081
研究種目

萌芽的研究

配分区分補助金
研究分野 電子・電気材料工学
研究機関京都工芸繊維大学

研究代表者

山田 正良  京都工芸繊維大学, 工芸学部, 教授 (70029320)

研究分担者 福澤 理行  京都工芸繊維大学, 工芸学部, 助手 (60293990)
研究期間 (年度) 1997 – 1998
研究課題ステータス 完了 (1998年度)
配分額 *注記
2,100千円 (直接経費: 2,100千円)
1998年度: 600千円 (直接経費: 600千円)
1997年度: 1,500千円 (直接経費: 1,500千円)
キーワードプロセス誘起歪 / 光弾性 / 歪 / 化合物半導体 / 赤外光 / ダイボンディング
研究概要

1, 昨年度、赤外光カメラ、ビーム分技型グラン・トムソン偏光プリズム、レンズやフィルタなどの光学部品を組み合わせた光学機構部分、並びに、赤外光カメラからの画像信号をA/D変換した後フレーム・メモリに取り込み、コンピュータ上で処理ができる赤外画像処理システムを一体化した反射型顕微転外光弾性装置に関して、歪みを定量的に評価する手法を考案した。
2, 開発した反射型顕微赤外光弾性装置と歪み定量評価手法を用いて、実際に化合物半導体のチップマウンティングプロセスで誘起される2次元的な歪み場が定量評価できることを示した。また、その歪みはチップマウンティングのプロセス温度から室温に冷却されるときのGaAsチップとCuヒートシンクの熱膨張差による熱応力により生じるものであり、その熱応力は軟らかい半田材料で完全に緩和するのではなく、1/10程度がチップに残留し、チップマウンティング誘起歪みとなっていることを明らかにした。
3, 以上の研究結果を研究発表の欄に記載している国際会議に発表したところ、その有用性が大いに認められた。チップマウンティング以外の他の半導体プロセスにおけるプロセス誘起歪みの定量評価にも適用できる本反射型顕微赤外光弾性装置の各方面での利用が大いに期待された。

報告書

(2件)
  • 1998 実績報告書
  • 1997 実績報告書
  • 研究成果

    (4件)

すべて その他

すべて 文献書誌 (4件)

  • [文献書誌] Tao Chu: "First Obsevation of GaAs Chip Bonded on Heatsink Plate with Reflection Type of Intrared Polariscope" Inst.Phys.Conf.Ser.No.160. 129-132 (1997)

    • 関連する報告書
      1998 実績報告書
  • [文献書誌] Tao Chu: "Photoelastic Measurement of Chip-bonding Induced Strains by Infrared Polariscope" IEEE Catalog#98CH36129. 541-544 (1998)

    • 関連する報告書
      1998 実績報告書
  • [文献書誌] Tao Chu: "Photoelastic Measurement of Strain Induced by Die-bonding of GaAs Chip on Heatsink Plate" Jpn.J.Appl.Phys.Vol.38,Pt.1,No.28(印刷中). (1999)

    • 関連する報告書
      1998 実績報告書
  • [文献書誌] Tao Chu: "First observation of GaAs chip bonded on heatsink plate with reflection type of infrared polariscope" Proc.of 7th Int.Conf.on Defect Recognition and Image Processing,Templin,Germany,1997,Sept.7-10. (印刷中). (1998)

    • 関連する報告書
      1997 実績報告書

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公開日: 1997-04-01   更新日: 2016-04-21  

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