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フェムト秒レーザー衝撃波によるシリコン高圧金属相の創成

研究課題

研究課題/領域番号 09J00825
研究種目

特別研究員奨励費

配分区分補助金
応募区分国内
研究分野 応用光学・量子光工学
研究機関大阪大学

研究代表者

辻野 雅之  大阪大学, 大学院・工学研究科, 特別研究員(DC1)

研究期間 (年度) 2009 – 2011
研究課題ステータス 完了 (2011年度)
配分額 *注記
2,100千円 (直接経費: 2,100千円)
2011年度: 700千円 (直接経費: 700千円)
2010年度: 700千円 (直接経費: 700千円)
2009年度: 700千円 (直接経費: 700千円)
キーワードフェムト秒レーザー駆動衝撃波 / シリコン高圧構造 / 凍結モデル / シリコン高圧金属相 / 凍結機構 / 準静的圧縮 / 結晶構造観察 / 格子欠陥 / フェムト秒レーザー衝撃波 / シリコン高圧相 / 凍結機構解明 / 金属 / 衝撃圧縮 / 静水圧縮
研究概要

本年度は、フェムト秒レーザー駆動衝撃波によってシリコン高圧構造が凍結されるモデルを明らかにするため以下の実験および考察を行った。フェムト秒レーザー駆動衝撃波を負荷したシリコンの透過電子顕微鏡観察の結果、フェムト秒レーザー駆動衝撃波を負荷したシリコンには、昨年度までに行った準静的圧縮を負荷したシリコンと比較して高密度の転位が導入されていることが明らかとなった。その転位密度は7×10^<19>m^<-2>であった。この高密度の転位がシリコン高圧構造の凍結に寄与していると考え、次に記す凍結モデルの提案を行った。シリコンの高圧構造が、常圧下で安定に存在する準安定相に相転移するためには、約20%の体積膨張が必要である。その膨張により高圧構造周辺のDiamond構造が応力を受け、通常ではDiamond構造の変形が起こる。しかしフェムト秒レーザー駆動衝撃波を負荷したシリコンでは、Diamond構造には高密度の転位が導入されているため、変形が阻害され、同時に体積膨張を伴う高圧構造から準安定相への相転移も阻害され、高圧構造が常圧下で安定となり凍結が達成される。このモデルを定量的に評価するためにナノインデンテーションを用いた微小硬さ試験を行った。評価の指標には圧縮降伏応力を用いた。
圧縮降伏応力は、材料の変形し難さを表すパラメータである。一般にナノインデンテーションなどによる押し込み硬さ試験によって得られる硬度と、材料の降伏応力は比例関係である。ゆえにナノインデンテーションで測定した硬度上昇により、Diamond構造が微小領域において変形に耐えうる圧力を見積もることができる。硬さ試験の結果、フェムト秒レーザー駆動衝撃波を負荷したシリコンは照射前に比べて、6.4倍の硬度上昇が起こっていることが確認した。
見積もりでは圧縮降伏応力が約5倍に上昇することにより,高圧構造であるβ-Sn構造が安定な応力を負荷することが可能であるとされたため、先述したモデルの有効性が示された。

報告書

(3件)
  • 2011 実績報告書
  • 2010 実績報告書
  • 2009 実績報告書
  • 研究成果

    (10件)

すべて 2012 2011 2010 2009

すべて 雑誌論文 (3件) (うち査読あり 3件) 学会発表 (7件)

  • [雑誌論文] Formation of High-Density Dislocations and Hardening in Femtosecond-Laser-Shocked Silicon2012

    • 著者名/発表者名
      辻野雅之
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 5 号: 2 ページ: 22703-22703

    • DOI

      10.1143/apex.5.022703

    • NAID

      10030155552

    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] フェムト秒レーザ駆動衝撃波によるシリコン高圧構造の常圧下における残存2012

    • 著者名/発表者名
      辻野雅之
    • 雑誌名

      レーザ加工学会誌

      巻: (未定)

    • NAID

      40019319356

    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Synthesis of submicron metastable phase of silicon using femtosecond laser-driven shock wave2011

    • 著者名/発表者名
      辻野雅之
    • 雑誌名

      JOURNAL OF APPLIED PHYSICS

      巻: 110 号: 12 ページ: 126-103

    • DOI

      10.1063/1.3673591

    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
    • 査読あり
  • [学会発表] Electron microscopic observation in femtosecond laser-driven shock compressed silicon2011

    • 著者名/発表者名
      辻野雅之
    • 学会等名
      Shock Compression of Condensed Matter 2011
    • 発表場所
      Marriott Renaissance Hotel (Chicago)
    • 年月日
      2011-06-27
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] Quenching non-equilibrium high-pressure phases of Si using femtosecond laser-driven ultrashort shock2011

    • 著者名/発表者名
      辻野雅之
    • 学会等名
      The 12th International Symposium on Laser Precision Microfabrication
    • 発表場所
      かがわ国際会議場
    • 年月日
      2011-06-10
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] 静的圧縮による高圧相転移後に圧力解放したシリコンの電子顕微鏡観察2010

    • 著者名/発表者名
      辻野雅之
    • 学会等名
      日本高圧力学会
    • 発表場所
      仙台市戦災復興記念館
    • 年月日
      2010-10-20
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] フェムト秒レーザー駆動衝撃波によるシリコン高圧相凍結機構に関する一考察2010

    • 著者名/発表者名
      辻野雅之
    • 学会等名
      応用物理学会
    • 発表場所
      長崎大学
    • 年月日
      2010-09-14
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] Deformations of Crystalline Structures in Silicon Wafer Induced by Femtosecond Laser2009

    • 著者名/発表者名
      辻野雅之
    • 学会等名
      Materials Science and Technology 2009
    • 発表場所
      米国ペンシルバア州ピッツバーグ
    • 年月日
      2009-10-26
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] Femtosecond laser-driven shock synthesis of high-pressure phases of silicon2009

    • 著者名/発表者名
      辻野雅之
    • 学会等名
      AIRAPT-22
    • 発表場所
      東京都江東区青海
    • 年月日
      2009-07-30
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] Femtosecond laser-driven shock synthesis of high-pressure phases of silicon2009

    • 著者名/発表者名
      辻野雅之
    • 学会等名
      Shock Compression of Condensed Matter 2009
    • 発表場所
      米国テネシー州ナッシュビル
    • 年月日
      2009-07-03
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書

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公開日: 2009-04-01   更新日: 2024-03-26  

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