遷移金属酸化物ヘテロナノ構造による電界誘起抵抗スイッチング機構解明とデバイス展開

• 研究課題/領域番号: 09J06253
• 研究種目: 特別研究員奨励費
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 国内
• 研究分野: ナノ材料・ナノバイオサイエンス
• 研究機関: 大阪大学
• 研究代表者: 岡 敬祐 大阪大学, 基礎工学研究科, 特別研究員(DC1)
• 研究期間 (年度): 2009 – 2011
• 研究課題ステータス: 完了 (2011年度)
• 配分額: 2,100千円 (直接経費: 2,100千円); 2011年度: 700千円 (直接経費: 700千円); 2010年度: 700千円 (直接経費: 700千円); 2009年度: 700千円 (直接経費: 700千円)
• キーワード: 遷移金属酸化物 / ナノワイヤ / 透過型電子顕微鏡 / 第一原理計算法 / レーザーMBE / 電解誘起抵抗スイッチング / VLS成長 / 酸化ニッケル / 界面構造制御 / 環境制御 / レーザMBE / 電界誘起抵抗スイッチング / 金属触媒 / ヘテロ構造

研究概要

遷移金属酸化物において発現する抵抗変化メモリデバイスの電界誘起抵抗スイッチング動作を,ナノ構造体を用いた制限空間で発現させることによって物理起源の解析を行う.この解析によってメモリデバイスの産業応用上必要不可欠な最適化指針の提唱を行うことを目的としている.昨年度までにナノ構造体を用いたメモリデバイスの開発、動作検証、詳細な動作メカニズムの解析及び最終ターゲットである透過型電子顕微鏡観察と電気伝導特性評価を同時に行う機構の開発に成功している.本年度は透過型電子顕微鏡観察を実際に行うこと及び電界誘起抵抗スイッチング動作の動作発現モデルを構築するための数値解析を行った.具体的な研究成果は
・海外共同研究先において透過型電子顕微鏡による直接観察の実施
・第一原理計算法を用いた動作発現モデルの構築
について成功した.
これらの成果が与えるインパクトは,通常の抵抗変化メモリの研究では解析困難であった固体内部の情報を,透過型電子顕微鏡と電気伝導測定による直接観察及び同時計測の実現によってメカニズムを詳細に検討可能にした点,数値計算を導入することによって実験的には解析困難である原子1つ1つの振る舞いをモデル化し従来では困難であった電界誘起抵抗スイッチング動作のモデル化に成功した点である.

研究成果

• [雑誌論文] Dual Defects of Cation and Anion in Memristive Nonvolatile Memory of Metal Oxides (2012)
  • 著者名/発表者名: Keisuke Oka
  • 雑誌名: Journal of the American Chemical Society 巻: 134 号: 5 ページ: 2535-2535
  • DOI: 10.1021/ja2114344
  • 査読あり
• [雑誌論文] Spatial Nonuniformity in Resistive-Switching Memory Effects of NiO (2011)
  • 著者名/発表者名: Keisuke Oka
  • 雑誌名: Journal of the American Chemical Society 巻: 133 号: 32 ページ: 12482-12482
  • DOI: 10.1021/ja206063m
  • 査読あり
• [雑誌論文] Intrinsic Mechanisms of Memristive Switching (2011)
  • 著者名/発表者名: Kazuki Nagashima
  • 雑誌名: Nano Letters 巻: 11 号: 5 ページ: 2114-2114
  • DOI: 10.1021/nl200707n
  • 査読あり
• [雑誌論文] Study on transport pathway in oxide nanowire growth by using spacing-controlled regular array (2011)
  • 著者名/発表者名: Annop Klamchuen
  • 雑誌名: Applied Physics Letters 巻: 99 号: 19 ページ: 193105-193105
  • DOI: 10.1063/1.3660246
  • 査読あり
• [雑誌論文] Dopant homogeneity and transport properties of impurity-doped oxide nanowires (2011)
  • 著者名/発表者名: Annop Klamchuen
  • 雑誌名: Applied Physics Letters 巻: 98 ページ: 53107-53107
  • 査読あり
• [雑誌論文] Role of surrounding oxygen on oxide nanowire growth (2010)
  • 著者名/発表者名: Annop Klamchuen
  • 雑誌名: Applied Physics Letters 巻: 97 ページ: 73114-73114
  • 査読あり
• [雑誌論文] Impurity induced periodic mesostructures in Sb-doped SnO_2 nanowires (2010)
  • 著者名/発表者名: Annop Klamchuen
  • 雑誌名: Journal of Crystal Growth 巻: 312 ページ: 3251-3251
  • 査読あり
• [雑誌論文] Interfacial Effect on Metal/Oxide Nanowire Junctions (2010)
  • 著者名/発表者名: 長島一樹
  • 雑誌名: Applied Physics Letters 96 ページ: 73110-73110
  • 査読あり
• [雑誌論文] Resistive Switching Multistate Non-volatile Memory Effects in a Single Cohalt Oxide Nanowire (2010)
  • 著者名/発表者名: 長島一樹
  • 雑誌名: Nanoletters 10 ページ: 1359-1363
  • 査読あり
• [雑誌論文] Unipolar Resistive Switching Characteristics of Room Temperature Grown SnO_2 Thin Films (2009)
  • 著者名/発表者名: 長島一樹
  • 雑誌名: Applied Physics Letters 94 ページ: 242902-242902
  • 査読あり
• [雑誌論文] Crucial Role of Doping Dynamics on Transport Properties of Sb-doped SnO_2 Nanowires (2009)
  • 著者名/発表者名: Annop Klamchuen
  • 雑誌名: Applied Physics Letters 95 ページ: 53105-53105
  • 査読あり
• [雑誌論文] Specific Surface Effect on Transport Properties of NiO/MgO Heterostructured Nanowires (2009)
  • 著者名/発表者名: 岡敬祐
  • 雑誌名: Applied Physics Letters 95 ページ: 133110-133110
  • 査読あり
• [学会発表] A Oxide Nanowire Exposed Nanoscale Mechanisms of Memristor (2012)
  • 著者名/発表者名: K.Nagashima
  • 学会等名: The 15th SANKEN International Symposium 2012, The 10th SANKEN Nanotechnology Symposium, Progress and Perspectives of Imaging Science and Technology-From Nano Structure To Human Behavior-
  • 発表場所: Osaka, Japan
  • 年月日: 2012-01-12
• [学会発表] Facile Patterning of Sub 20 nm Uniform Oxide Nanowires by Ultra-thin Anodic Aluminum Oxide Membrane Mask (2012)
  • 著者名/発表者名: G.Meng
  • 学会等名: The 15th SANKEN International Symposium 2012, The 10th SANKEN Nanotechnology Symposium, Progress and Perspectives of Imaging Science and Technology-From Nano Structure To Human Behavior-
  • 発表場所: Osaka, Japan
  • 年月日: 2012-01-12
• [学会発表] Manipulation of Long DNA molecule by Oxide Nanowires Embedded in Microfluidic Chip (2012)
  • 著者名/発表者名: S.Rahong
  • 学会等名: The 15th SANKEN International Symposium 2012, The 10th SANKEN Nanotechnology Symposium, Progress and Perspectives of Imaging Science and Technology-From Nano Structure To Human Behavior-
  • 発表場所: Osaka, Japan
  • 年月日: 2012-01-12
• [学会発表] Crucial Role of Dopant Incorporation Dynamics on Transport Properties of Semiconductor Oxide Nanowires (2012)
  • 著者名/発表者名: A.Klamchuen
  • 学会等名: The 15th SANKEN International Symposium 2012, The 10th SANKEN Nanotechnology Symposium, Progress and Perspectives of Imaging Science and Technology-From Nano Structure To Human Behavior-
  • 発表場所: Osaka, Japan
  • 年月日: 2012-01-12
• [学会発表] Nano-scale Origin of Non-volatile Resistive Switching Phenomena in Nickel Oxide (2011)
  • 著者名/発表者名: K.Oka
  • 学会等名: 7th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium
  • 発表場所: Osaka, Japan
  • 年月日: 2011-11-11
• [学会発表] Nature of Memristive Switching Revealed by Self-assembled Oxide Nanowire (2011)
  • 著者名/発表者名: K.Nagashima
  • 学会等名: 7th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium
  • 発表場所: Osaka, Japan
  • 年月日: 2011-11-11
• [学会発表] Spatially Controlled Uniform Oxide Nanowire Arrays by Ultra-thin AAO Membrane Mask (2011)
  • 著者名/発表者名: G.Meng
  • 学会等名: 7th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium
  • 発表場所: Osaka, Japan
  • 年月日: 2011-11-10
• [学会発表] Integration of Oxide Nanowires in Microfluidic Chip for Long DNA Molecules Manipulation (2011)
  • 著者名/発表者名: S.Rahong
  • 学会等名: 7th Handai Nanosdence and Nanotechnology International Symposium
  • 発表場所: Osaka, Japan
  • 年月日: 2011-11-10
• [学会発表] Dynamic Dopant Incorporation Rule on Semiconductor Oxide Nanowire Growth (2011)
  • 著者名/発表者名: A.Klamchuen
  • 学会等名: 7th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium
  • 発表場所: Osaka, Japan
  • 年月日: 2011-11-10
• [学会発表] 酸化物ナノ細線を用いたReRAM機構の解明 (2011)
  • 著者名/発表者名: 長島一樹
  • 学会等名: 励起ナノプロセス研究会第7回研究会
  • 発表場所: ビッグ・アイ国際障害者交流センター,大阪(招待講演)
  • 年月日: 2011-11-01
• [学会発表] Memristor using a Single Oxide Nanowire-Performance in Ultra Small Memory and Intrinsic Mechanism- (2011)
  • 著者名/発表者名: K.Nagashima
  • 学会等名: 24th International Microprocesses and Nanotechnology Conference, Kyoto, Japan
  • 発表場所: Kyoto, Japan
  • 年月日: 2011-10-24
• [学会発表] Memristor using a Single Oxide Nanowire-Performance in Ultra Small Memory and Intrinsic Mechanism- (2011)
  • 著者名/発表者名: K.Nagashima
  • 学会等名: 24th International Microprocesses and Nanotechnology Conference
  • 発表場所: Kyoto, Japan
  • 年月日: 2011-10-24
• [学会発表] Nonvolatile Memory Phenomena within a Single Oxide Nanowire (2011)
  • 著者名/発表者名: T.Yanagida
  • 学会等名: International Workshop on Quantum Nanostructures and Nanoelectronics
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2011-10-03
• [学会発表] 酸化物ナノワイヤによる抵抗変化メモリ局在伝導機構の解明 (2011)
  • 著者名/発表者名: 長島一樹
  • 学会等名: 化学工学会第43回秋季大会
  • 発表場所: 名古屋工業大学,愛知
  • 年月日: 2011-09-16
• [学会発表] 自己組織化酸化物ナノワイヤにおける成長ダイナミクスと電気輸送物性への影響 (2011)
  • 著者名/発表者名: 柳田剛
  • 学会等名: 化学工学会第43回秋季大会
  • 発表場所: 名古屋工業大学,愛知
  • 年月日: 2011-09-16
• [学会発表] ナノ制限空間を利用した不揮発性抵抗変化メモリ現象の動作メカニズム解析 (2011)
  • 著者名/発表者名: 岡敬祐
  • 学会等名: 第72回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形大学,山形
  • 年月日: 2011-09-01
• [学会発表] Pt/TiO_2/Pt極微メモリスタ素子特性の基底状態依存性 (2011)
  • 著者名/発表者名: 長島一樹
  • 学会等名: 第72回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形大学,山形
  • 年月日: 2011-09-01
• [学会発表] メモリスタの物理起源 (2011)
  • 著者名/発表者名: 長島一樹
  • 学会等名: 第72回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形大学,山形
  • 年月日: 2011-08-30
• [学会発表] Intrinsic nature of nonvolatile resistive switching extracted by a single oxide nanowire (2011)
  • 著者名/発表者名: K.Nagashima
  • 学会等名: The 11th International Symposium on Sputtering & Plasma Processes
  • 発表場所: Kyoto, Japan
  • 年月日: 2011-07-06
• [学会発表] Crucial Role of Impurity Doping Dynamics on Transport Properties of VLS Grown SnO_2 Nanowires (2011)
  • 著者名/発表者名: A.Klamchuen
  • 学会等名: The 11th International Symposium on Sputtering & Plasma Processes
  • 発表場所: Kyoto, Japan
  • 年月日: 2011-07-06
• [学会発表] 金属酸化物ナノワイヤを用いたメモリスタ-極微素子特性・動作起源解明- (2011)
  • 著者名/発表者名: 長島一樹
  • 学会等名: ナノ学会第九回大会
  • 発表場所: 北海道大学,北海道
  • 年月日: 2011-06-03
• [学会発表] 酸化物ナノ構造体による不揮発性抵抗スイッチング現象評価 (2011)
  • 著者名/発表者名: 長島一樹
  • 学会等名: 2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大学(神奈川)
• [学会発表] NiOナノ構造体を用いた不揮発性メモリ効果の動作メカニズム解析 (2011)
  • 著者名/発表者名: 岡敬祐
  • 学会等名: 2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大学(神奈川)
• [学会発表] p型酸化物ナノワイヤによる超極微・超省電力ReRAM素子の創成 (2010)
  • 著者名/発表者名: 長島一樹
  • 学会等名: 平成22年度第2回半導体エレクトロニクス部門研究会
  • 発表場所: 大阪府立大学(大阪)
  • 年月日: 2010-11-20
• [学会発表] 遷移金属酸化物ヘテロナノワイヤ構造体における不揮発性メモリ効果 (2010)
  • 著者名/発表者名: 岡敬祐
  • 学会等名: ナノ学会第8回大会
  • 発表場所: 自然科学研究機構 岡崎コンファレンスセンター(愛知)
• [学会発表] Redox Based Non-volatile Resistive Switching in MgO/Cobalt Oxide Heterostructured Nanowires (2010)
  • 著者名/発表者名: Kazuki Nagashima
  • 学会等名: International Conference on Core Research and Engineering Science of Advanced Materials (Global COE Program) & Third International Conference on Nanospintronics Design and Realization, 3rd-ICNDR
  • 発表場所: Osaka, Japan
• [学会発表] Non-volatile Resistive Switching in NiO Heterostructured Nanowire (2010)
  • 著者名/発表者名: Keisuke Oka
  • 学会等名: International Conference on Core Research and Engineering Science of Advanced Materials (Global COE Program) & Third International Conference on Nanospintronics Design and Realization, 3rd-ICNDR
  • 発表場所: Osaka, Japan
• [学会発表] コバルト酸化物ナノワイヤ構造体における不揮発性抵抗変化メモリ効果 (2010)
  • 著者名/発表者名: 長島一樹
  • 学会等名: 化学工学会第42回秋季大会
  • 発表場所: 同志社大学(京都)
• [学会発表] 気液固反応法による酸化物ナノワイヤ構造体の創製とメカニズム解明 (2010)
  • 著者名/発表者名: 柳田剛
  • 学会等名: 化学工学会第42回秋季大会
  • 発表場所: 同志社大学(京都)
• [学会発表] コバルト酸化物ナノ構造体を用いた不揮発性メモリ現象における酸化還元反応の決定的な役割 (2010)
  • 著者名/発表者名: 長島一樹
  • 学会等名: 第71回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 長崎大学(長崎)
• [学会発表] NiOナノ構造体を用いた不揮発性メモリ効果の局所現象解析 (2010)
  • 著者名/発表者名: 岡敬祐
  • 学会等名: 第71回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 長崎大学(長崎)
• [学会発表] 酸化物ナノワイャにおける不揮発性メモリ効果 (2010)
  • 著者名/発表者名: 柳田剛
  • 学会等名: 第71回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 長崎大学(長崎)
• [学会発表] Resistive Switching Phenomena in Limited Nanospace of a Single NiO Heterostructured Nanowire (2010)
  • 著者名/発表者名: Keisuke Oka
  • 学会等名: 17th International Workshop on Oxide Electronics
  • 発表場所: Hyogo, Japan
• [学会発表] Crucial Role of Redox Events on Non-volatile Resistive Switching in Cobalt Oxide Nanostructures (2010)
  • 著者名/発表者名: Kazuki Nagashima
  • 学会等名: 17th International Workshop on Oxide Electronics
  • 発表場所: Hyogo, Japan
• [学会発表] Crucial Role of Impurity Doping Dynamics on Transport Properties and Microstructures of VLS Grown SnO_2 Nanowires (2010)
  • 著者名/発表者名: Annop Klamchuen
  • 学会等名: 17th International Workshop on Oxide Electronics
  • 発表場所: Hyogo, Japan
• [学会発表] Resistive Switching Memory Effects in a Single Oxide Nanowire (2010)
  • 著者名/発表者名: Takeshi Yanagida
  • 学会等名: 17th International Workshop on Oxide Electronics
  • 発表場所: Hyogo, Japan
• [学会発表] 17th International Workshop on Oxide Electronics (2010)
  • 著者名/発表者名: Masaki Kanai
  • 学会等名: 17th International Workshop on Oxide Electronics
  • 発表場所: Hyogo, Japan
• [学会発表] Non-volatile Resistive Switching Effect in Limited Nanospace of a Single NiO Heterostructured Nanowire (2010)
  • 著者名/発表者名: Keisuke Oka
  • 学会等名: 2010 Materials Research Society Fall Meeting
  • 発表場所: Boston, USA
• [学会発表] Non-volatile Memory Effects in Heterostructured Oxide Nanowires (2010)
  • 著者名/発表者名: Takeshi Yanagida
  • 学会等名: 2010 Materials Research Society Fall Meeting
  • 発表場所: Boston, USA
• [学会発表] Resistive Switching in a Single Oxide Nanowire (2010)
  • 著者名/発表者名: Takeshi Yanagida
  • 学会等名: 2010 Materials Research Society Fall Meeting
  • 発表場所: Boston, USA
• [学会発表] Growth and Mechanisms of VLS Grown Oxide Nanowires (2010)
  • 著者名/発表者名: Masaki Kanai
  • 学会等名: PACIFICHEM 2010
  • 発表場所: Honolulu, USA
• [学会発表] Role of Impurity Doping on Transport Properties and Microstructures of Oxide Nanowires (2010)
  • 著者名/発表者名: Annop Klamchuen
  • 学会等名: PACIFICHEM 2010
  • 発表場所: Honolulu, USA
• [学会発表] Extraction of Localised Non-volatile Memory Switching using MgO/Cobalt Oxide Heterostructured Nanowire (2010)
  • 著者名/発表者名: 長島一樹
  • 学会等名: The 13th SANKEN International Symposium 2010
  • 発表場所: Kansai Airport Conference Hall, Osaka, Japan
• [学会発表] Impurity iuduced mesostructures of Sb-doped SnO_2 Nanowires (2010)
  • 著者名/発表者名: Annop Klamchuen
  • 学会等名: The 13th SANKEN International Symposium 2010
  • 発表場所: Kansai Airport Conference Hall, Osaka, Japan
• [学会発表] Redox Reactions of Non-volatile Bipolar Resistive Memory Switching in Single Crystalline NiO Heterostructured Nanowire (2010)
  • 著者名/発表者名: 岡敬祐
  • 学会等名: The 13th SANKEN International Symposium 2010
  • 発表場所: Kansai Airport Conference Hall, Osaka, Japan
• [学会発表] 酸化物ナノワイヤ気液固(VLS)成長における創発現象 (2010)
  • 著者名/発表者名: Annop Klamchuen
  • 学会等名: 分子ナノシステムの創発化学第1回公開シンポジウム
  • 発表場所: キャンパスプラザ京都(京都府)
• [学会発表] コバルト酸化物ナノワイヤにおける抵抗変化不揮発性メモリ特性とその抵抗変化機構 (2010)
  • 著者名/発表者名: 長島一樹
  • 学会等名: 第57回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 東海大学(神奈川県)
• [学会発表] NiOナノワイヤ構造体における抵抗変化不揮発性メモリ効果 (2010)
  • 著者名/発表者名: 岡敬祐
  • 学会等名: 第57回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 東海大学(神奈川県)
• [学会発表] SnO_2ナノワイヤにおけるSb不純物ドーピング誘起メソ構造 (2010)
  • 著者名/発表者名: 柳田剛
  • 学会等名: 第57回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 東海大学(神奈川県)
• [学会発表] Non-volatile Memory Effect in Heterostructured Nanowires of Transition Metal Oxides (2009)
  • 著者名/発表者名: 長島一樹
  • 学会等名: The 8th Japan-France Workshop on Nanomaterials
  • 発表場所: NIMS, Ibaraki, Japan
• [学会発表] Metal Oxide Nanowires : Synthesis, Properties and Non-volatile Memory Applications (2009)
  • 著者名/発表者名: 柳田剛
  • 学会等名: The 8th Japan-France Workshop on Nanomaterials
  • 発表場所: NIMS, Ibaraki, Japan
• [学会発表] Non-volatile Unipolar Memory Switching in TiO_2 Heteronanowire (2009)
  • 著者名/発表者名: 長島一樹
  • 学会等名: The 10th International Symposium on Sputtering & Plasma Processes
  • 発表場所: Kanazawa Kokusai Hotel, Ishikawa, Japan
• [学会発表] Non-volatile Bipolar Resistive Memory Switching in Single Crystalline NiO Heterostructured Nanowire (2009)
  • 著者名/発表者名: 岡敬祐
  • 学会等名: The 10th International Symposium on Sputtering & Plasma Processes
  • 発表場所: Kanazawa Kokusai Hotel, Ishikawa, Japan
• [学会発表] Metal Oxide Nanowires : Synthesis, Nano-properties and Device Applications (2009)
  • 著者名/発表者名: 柳田剛
  • 学会等名: The 10th International Symposium on Sputtering & Plasma Processes
  • 発表場所: Kanazawa Kokusai Hotel, Ishikawa, Japan
• [学会発表] Mechanism of Nonvolatile Bipolar Resistive Memory Switching in MgO/Co_3O_4 Nanowire and Multi-storage Memory Application (2009)
  • 著者名/発表者名: 長島一樹
  • 学会等名: 5th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium
  • 発表場所: Icho Kaikan, Osaka, Japan
• [学会発表] Crucial Role of Doping Dynamics on Transport Properties of Sb-doped SnO_2 Nanowires (2009)
  • 著者名/発表者名: 柳田剛
  • 学会等名: 5th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium
  • 発表場所: Icho Kaikan, Osaka, Japan
• [学会発表] Non-volatile Resistive Memory Switching in Individual MgO/NiO Hetero structured Nanowire (2009)
  • 著者名/発表者名: 岡敬祐
  • 学会等名: 5th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium
  • 発表場所: Icho Kaikan, Osaka, Japan
• [学会発表] Mechanism of Resistive Switching in MgO/Co_3O_4 Nanowires for Non-volatile Memory Applications (2009)
  • 著者名/発表者名: 長島一樹
  • 学会等名: International Symposium on post silicon materials and devices research alliance project
  • 発表場所: Icho Kaikan, Osaka, Japan
• [学会発表] Resistive Switching Phenolnena in MgO/Co_3O_4 Core/shell Nanowires (2009)
  • 著者名/発表者名: 長島一樹
  • 学会等名: 16th International Workshop on Oxide Electronics
  • 発表場所: Palau Firal I de Congressos de Tarragona, Tarragona, Spain
• [学会発表] Non-volatile Resistive Switching in Individual MgO/NiO Heterostructured Nanowire (2009)
  • 著者名/発表者名: 岡敬祐
  • 学会等名: 16th International Workshop on Oxide Electronics
  • 発表場所: Palau Firal I de Congressos de Tarragona, Tarragona, Spain
• [学会発表] Self-Assembling Oxide Nanowires : Growth Mechanisms and the Impact on Transport Properties of Impurity-Doped Nanowires (2009)
  • 著者名/発表者名: 柳田剛
  • 学会等名: 16th International Workshop on Oxide Electronics
  • 発表場所: Palau Firal I de Congressos de Tarragona, Tarragona, Spain
• [学会発表] Non-volatile Memory Switching using Atomically Controlled MgO/Co_3O_4 Heterostructured Nanowires (2009)
  • 著者名/発表者名: 長島一樹
  • 学会等名: Second International Symposium on Atomically Controlled Fabrication Technology
  • 発表場所: Palau Firal I de Congressos de Tarragona, Tarragona, Spain
• [学会発表] MgO/Co_3O_4ナノワイヤを用いた不揮発性抵抗変化メモリの創成とその抵抗変化機構 (2009)
  • 著者名/発表者名: 長島一樹
  • 学会等名: 第70回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 富山大学(富山県)
• [学会発表] MgO/NiOヘテロナノワイヤ単一構造体の不揮発性メモリ効果 (2009)
  • 著者名/発表者名: 岡敬祐
  • 学会等名: 第70回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 富山大学(富山県)
• [学会発表] 酸化物ナノワイヤ構造体における不純物ドーピング制御 (2009)
  • 著者名/発表者名: 柳田剛
  • 学会等名: 化学工学会第41回秋季大会
  • 発表場所: 広島大学(広島県)
• [学会発表] 酸化物棒状ナノ粒子における抵抗変化メモリ効果とメカニズム解明 (2009)
  • 著者名/発表者名: 長島一樹
  • 学会等名: 粉体工学会2009年度秋期研究発表会
  • 発表場所: コスモスクエア国際交流センター(大阪府)
• [産業財産権] 抵抗変化型不揮発性メモリ素子、および、抵抗変化型不揮発性メモリ素子の製造方法 (2009)
  • 発明者名: 柳田剛、川合知二、長島一樹、岡敬祐
  • 権利者名: 大阪大学
  • 産業財産権番号: 2009-168919
  • 出願年月日: 2009-07-17