| 研究課題/領域番号 |
10044138
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 東京工業大学 |
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研究代表者 |
小田 俊理 東京工業大学, 量子効果エテクトロニクス研究センター, 教授 (50126314)
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| 研究分担者 |
杉浦 修 東京工業大学, 工学部, 助教授 (10187643)
松村 正清 東京工業大学, 工学部, 教授 (30110729)
KASTNER Marc マサチューセッツ工科大学, 教授
MILNE Willia ケンブリッジ大学, 工学部, 教授
MOORE David ケンブリッジ大学, 工学部, 助教授
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| 研究期間 (年度) |
1998 – 1999
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| 研究課題ステータス |
完了 (1999年度)
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| 配分額 *注記 |
8,300千円 (直接経費: 8,300千円)
1999年度: 3,800千円 (直接経費: 3,800千円)
1998年度: 4,500千円 (直接経費: 4,500千円)
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| キーワード | 超高速デバイス / 超伝導デバイス / 極微細加工プロセス / 電子ビーム露光技術 / 超薄膜結晶成長 / 量子効果デパイス / 原子層エピタキシー / 薄膜トランジスタ / 量子効果デバイス |
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| 研究概要 |
1.プラズマプロセスで形成した粒径8nmのナノ結晶シリコンを間隔15nmの微細単電子トランジスタおよびラップゲート縦型トランジスタと組み合わせて、単一シリコン量子ドットの電子輸送特性を明らかにした。またシリコンバリスティック伝導を5Kで観測した。
2.シリコンおよびゲルマニューム基板上にシリコン超薄膜、ゲルマニューム超薄膜の原子層エピタキシー成長をおこなう条件を明確にした。種々の原料分子の熱解離および吸着特性を調べて、自己停止機構の存在する単原子層成長ウィンドウの範囲を明らかにした。さらに超格子構造の作製も行った。
3.インジウムアンチモン超高遠電解効果トランジスタの作製に必要なソースドレイン部分のドーピング法としてイオウ不純物を表面吸着させ、光ア二一ルする新しい方法を開発した。
4.イオン注入法により酸化物超伝導ジョセフソン接合を提案した。また、収束イオンピームを用いてシリコンを微細加工し振動型超微細共振器を閣発した。さらに、窒化シリコン微細クリップによる光ファイパ接続コネクタを製作した。
5.ダイヤモンド薄膜の構造、電気特性、光学特性を調べた。電界放出特性を利用した表示素子の試作や走査プローブ顕微鏡を用いたナノ加工の可能性を明らかにした。
6.東京およびベルリンで国際シンポジウムを開催し、超微細構造デバイス研究の進め方について討論を行った。
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