| 研究課題/領域番号 |
10044167
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用光学・量子光工学
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| 研究機関 | 宮崎大学 |
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研究代表者 |
佐々木 亘 宮崎大学, 工学部, 教授 (30081300)
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| 研究分担者 |
亀山 晃弘 宮崎大学, 工学部, 助手 (00264367)
横谷 篤至 宮崎大学, 工学部, 助教授 (00183989)
窪寺 昌一 宮崎大学, 工学部, 助教授 (00264359)
SAUERBREY Ro FriedrichーSchillerーUniversitat Jena, Inst, Professor
河仲 準一 宮崎大学, 工学部, 助手 (50264362)
黒澤 宏 宮崎大学, 工学部, 教授 (80109892)
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| 研究期間 (年度) |
1998 – 1999
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| 研究課題ステータス |
完了 (1999年度)
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| 配分額 *注記 |
5,000千円 (直接経費: 5,000千円)
1999年度: 2,100千円 (直接経費: 2,100千円)
1998年度: 2,900千円 (直接経費: 2,900千円)
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| キーワード | 真空紫外レーザー / コヒーレント制御 / 光CVD / 希ガスエキシマ分子 / 超短パルスレーザー / 真空紫外光 / コヒーレント光 / 高強度電子ビーム装置 / 長短パルスレーザー / 非線形結晶 |
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| 研究概要 |
平成11年度では下記の点について新しい知見を得た。
(1)超高出カレーザーを励起源とすることにより、希ガス中でエキシマ分子生成に成功した。また希ガスプラズマの電子温度、電子密度の見積もりを行った。真空紫外光の出カは、同特に観察される高調波と同程度あるいはそれ以上のものであり、実用的にも十分な強度を持つことが判明した。
(2)超短光パルス真空紫外光増幅に関する理論モデルを開発した。モデルの妥当性を既存の紫外光源(希ガスハライドエキシマ分子)による超短パルス増幅結果と比較することにより確認した。このことから同様な束縛自由遷移を持つ希ガスエキシマ分子においても超短パルス光の増幅は物理的には同様であることが明らかとなった。
(3)基底状態が解離性の自由状態を持つ希ガスエキシマ分子の解離を制御し、これをさらに再励起することはレーザーの上準位数密度を増加させるためにも重要である。2波長の超短パルスレーザー光を用いることにより、希ガスエキシマ分子の解離する波束のダイナミクスをサブピコ秒の分解能でコヒーレント制御することに成功した。
(4)昨年度に行われた超短パルス用の増幅器設計に基づき増幅器を製作し、その動作特性について調べた。高繰り返し動作のために必須である小型の放電励起の希ガスエキシマ増幅器を作成し、これを用いて増幅器単体でのレーザー発振について世界で初めて成功した。
(5)半導体の基本物質であるシリコンと高出カ真空紫外光とを相互作用させることにより、表面の酸化膜の除去ならびに平滑化、さらに表面の不純物質である有機物質の除去を行った。またTEOSを用いることにより、室温で酸化膜をシリコン基板上に均一に作製することに初めて成功した。品質管理の厳しい半導体産業で用いられるレベルまで被加工物質が到達していることを確認した。
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