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2重ゲート極微細MOSトランジスタによる単電子制御

研究課題

研究課題/領域番号 10127222
研究種目

特定領域研究(A)

配分区分補助金
研究機関広島大学

研究代表者

横山 新  広島大学, ナノデバイス・システム研究センター, 教授 (80144880)

研究分担者 MATTAUSCH Ha  広島大学, ナノデバイス・システム研究センター, 教授 (20291487)
芝原 健太郎  広島大学, ナノデバイス・システム研究センター, 助教授 (50274139)
研究期間 (年度) 1998
研究課題ステータス 完了 (1998年度)
配分額 *注記
1,200千円 (直接経費: 1,200千円)
1998年度: 1,200千円 (直接経費: 1,200千円)
キーワード酸化膜障壁極微細トランジスタ / 作成要素技術開発 / 電子ビーム描画 / 多結晶シリコンドット / トレンチ形成 / 選択エッチ / 非線形電流-電圧特性
研究概要

酸化膜障壁極微細トランジスタ作成のための要素技術を開発した。電子ビーム描画と電子サイクロトロン共鳴(ECR)エッチングを用いて、シリコン基板上にシリコン酸化膜(膜厚30nm)をマスクとしてトレンチを形成した。電子ドーズ量と、レジストパターンサイズの最適な組み合わせを用いることによって、幅110nmのスペースを持つレジストパターンが形成できた。このレジストマスクを用いて、スペース幅110nmの酸化膜マスクを形成した。さらにこの酸化膜をマスクとしてECRエッチングにより幅120nm、深さ160nmのトレンチを形成した。トンネル酸化膜(膜厚5nm)を熱酸化により形成した後、多結晶シリコンを減圧CVD法により堆積し、ECRエッチバック法により溝の内部のみに多結晶シリコンを残した。その後トレンチに垂直な方向に電子ビーム描画を行い、酸素添加塩素ガスを用いてECRエッチングによりトレンチ内の多結晶シリコンを120nm(縦)×160nm(横)×160nm(深さ)のドット状に加工した。酸素は多結晶シリコンに対してシリコン酸化膜のエッチング速度を抑制するために添加された。次にアンモニア_+過酸化水素混合溶液を用いて多結晶シリコンを選択エッチし、ドットを20nmまで薄くした。この処理によりドット表面に約1nmの酸化膜が形成される。導電性感知レバーを用いた原子間力顕微鏡を用いて多結晶シリコンドットを介するトンネル電流を観測し非線形な電流-電圧特性を室温で観測した。今後は開発したこれらの技術を用いて酸化膜障壁極微細トランジスタを作成する予定である。

報告書

(1件)
  • 1998 実績報告書
  • 研究成果

    (2件)

すべて その他

すべて 文献書誌 (2件)

  • [文献書誌] 羽田野剛司: "二重障壁極微細MOSトランジスタの電気伝導" 電子情報通信学会技術研究報告. Vol.98,No.28. 15-19 (1998)

    • 関連する報告書
      1998 実績報告書
  • [文献書誌] Tsuyoshi Hatano: "Calculation of Electrical Properties of Novel Double-Barrier MOS Transistors" Japanese Journal of Applied Physics. Vol.38,Part 1 No.1B. 399-402 (1999)

    • 関連する報告書
      1998 実績報告書

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公開日: 1998-04-01   更新日: 2016-04-21  

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