| 研究課題/領域番号 |
10130210
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| 研究種目 |
特定領域研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究機関 | 山梨大学 |
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研究代表者 |
松本 俊 山梨大学, 工学部, 教授 (00020503)
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| 研究分担者 |
鍋谷 暢一 山梨大学, 工学部, 助手 (30283196)
安井 勝 山梨大学, 工学部, 教授 (30020481)
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| 研究期間 (年度) |
1998
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| 研究課題ステータス |
完了 (1998年度)
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| 配分額 *注記 |
2,000千円 (直接経費: 2,000千円)
1998年度: 2,000千円 (直接経費: 2,000千円)
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| キーワード | ZnMnSe / ZnMnTe / MnTe / 希薄磁性半導体 / MBE / 磁化率 / ネール温度 / 反強磁性 |
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| 研究概要 |
1. GaAs基板上ZnMnSeの磁化率
GaAs(100)基板上にMBE成長させたZnMnSe膜の磁化率を、SQUID法で5〜300Kにわたって測定した。成長層厚は0.7〜1.2μmである。Mn組成が5%以下の試料の磁化率は温度の低下とともに増大して常磁性的な振る舞いを示すが、21%では120K付近にピークがみられ反強磁性的な特性を示した。X線マイクロアナライザではMn組成の不均一は検出されなかったが、X線回折ではMn組成が増加するとMn-rich領域の形成が示されている。閃亜鉛鉱構造のMnSeのネール温度は約5〜20MLで95〜115K、3MLで75Kと報告されている。測定した組成21%の試料のネール温度は約120Kであることから、高Mn組成の試料中には閃亜鉛鉱構造のMnSeの形成が示唆される。このMnSe領域の大きさは約20MLであると考えられる。
2. ZnTe、ZrMnTe、MnTeのMBE成長
GaAs(100)基板上にZnTe、ZnMnTe、MnTeをMBE成長させた。ZnTeの最適成長条件はTe/Znビーム強度比=2、基板温度=280℃である。この条件で作成した厚み2μm程度のZnTeエピタキシャル膜で、重い正孔と軽い正孔の自由励起子による発光と反射の信号がよく分離して観測され、結晶の高品質性が確認された。さらに、Mn組成約40%までの閃亜鉛鉱構造ZnMnTe及び閃亜鉛鉱構造のMnTeエピタキシャル膜を作成した。
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