研究課題/領域番号 |
10355007
|
研究種目 |
基盤研究(A)
|
配分区分 | 補助金 |
応募区分 | 展開研究 |
研究分野 |
機械工作・生産工学
|
研究機関 | 大阪大学 |
研究代表者 |
森 勇藏 (森 勇蔵) 大阪大学, 工学研究科, 助教授 (00029125)
|
研究分担者 |
佐野 泰久 大阪大学, 工学研究科, 助手 (40252598)
山村 和也 大阪大学, 工学研究科, 助手 (60240074)
山内 和人 大阪大学, 工学研究科, 助教授 (10174575)
|
研究期間 (年度) |
1998 – 1999
|
研究課題ステータス |
完了 (1999年度)
|
配分額 *注記 |
24,300千円 (直接経費: 24,300千円)
1999年度: 4,500千円 (直接経費: 4,500千円)
1998年度: 19,800千円 (直接経費: 19,800千円)
|
キーワード | プラズマCVM / 大気圧プラズマ / ラジカル / 高速回転電極 / 数値制御加工 / シンクロトロン放射光 / 平面ミラー / SOI / 薄膜化 |
研究概要 |
プラズマCVMとは、大気圧以上の高圧力雰囲気下におけるプラズマによってラジカルを生成し、これを材料と反応させることにより除去加工を行う加工法である。高圧力下で発生するプラズマを利用することによって、極めて高密度のラジカルを生成することが可能であり、また気体の平均自由行程が極めて小さいため、プラズマ発生領域を高電界が作用する電極近傍に限定することができる。このため、機械加工に匹敵する加工能率と形状制御性を合わせ持つことができる。本研究では従来機械加工でしか実現できなかった、数値制御による形状創成加工を、純化学的な原理にもとづく加工によって実現するための、新しい加工システムを開発することを目的とする。 当該研究期間において実践した項目を以下に示す。 1)高精度高速回転電極を用いたプラズマCVM形状加工システムの設計・製作を行った。 2)加工速度、加工面粗さ、ならびに加工の空間分解能に大きな影響を与える、各加工パラメータに関する基礎データを取得し、基板材料に対する最適加工条件を求めた。 3)シンクロトロン放射光ビームラインにおいて全反射臨界角のフォトンエネルギー依存性を利用して高調波をカットするために用いられるシリコン製平面ミラーの加工を行った。機械研磨によって得られたミラーの平面度は158nm(p-v)であったが、本システムにより修正加工を行った結果22.5nm(p-v)を達成した。 4)次世代半導体基板であるSOI(Silicon On Insulator)ウエハにおけるシリコン層(SOI層)の薄膜化を行った。従来技術により作製されたSOI層の膜厚は0.2μmであったが、本システムにより薄膜化を行った結果、0.04μmまで薄膜化することに成功した。 今後の展開としては、既存の機械加工法では作製が困難な非球面形状を有する超精密光学素子の加工に取り組んでいく予定である。
|