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複合量子化半導体素子構造の開発とレーザー発振・吸収・利得特性の顕微透過計測

研究課題

研究課題/領域番号 10450113
研究種目

基盤研究(B)

配分区分補助金
応募区分一般
研究分野 電子・電気材料工学
研究機関東京大学

研究代表者

渡部 俊太郎 (2000-2001)  東京大学, 物性研究所, 教授 (50143540)

秋山 英文 (1998-1999)  東京大学, 物性研究所, 助教授 (40251491)

研究分担者 馬場 基芳  東京大学, 物性研究所, 教務職員 (60159077)
吉田 正裕  東京大学, 物性研究所, 助手 (30292759)
秋山 英文  東京大学, 物性研究所, 助教授 (40251491)
榊 裕之  東京大学, 生産技術研究所, 教授 (90013226)
研究期間 (年度) 1998 – 2001
研究課題ステータス 完了 (2001年度)
配分額 *注記
10,100千円 (直接経費: 10,100千円)
2001年度: 1,900千円 (直接経費: 1,900千円)
2000年度: 1,900千円 (直接経費: 1,900千円)
1999年度: 1,900千円 (直接経費: 1,900千円)
1998年度: 4,400千円 (直接経費: 4,400千円)
キーワード量子構造 / 導波路 / 半導体 / 顕微 / レーザー
研究概要

量子細線レーザーをはじめとする、電子閉じ込めと光閉じ込めを任意に組み合わせた立体量子構造を「複合量子化素子構造」と呼び、そのような素子構造群全体を対象として、試料構造の開発やレーザー発振特性や吸収・利得の評価を行った。このため、まず、電子状態と光導波路の設計・最適化を行うための有限要素計算プログラムを開発した。また、温度可変の光励起レーザー発振評価システム、トップビュー配置の発光スペクトルおよび画像計測システム、導波路の端面から検出を行う透過配置の顕微評価システムなどの開発を行った。
一方、へき開再成長丁型細線レーザー構造で、試料の品質を決定しているT字型構造の上側(110)界面の凸凹の研究を行い、アニールによる界面の均一化プロジェクトを進め、数十ミクロン以上の領域にわたって原子ステップがひとつもないほど均一な界面を得た。
そして、一本のシングルモード量子細線とシングルモード光導波路を組み合わせた、T型単一量子細線レーザー構造の作製に取り組み、H13年8月に世界で初めてレーザー発振の観測にした。この試料構造においては、一次元光導波路の中に、1次元量子細線のほかに2次元量子井戸や3次元ダブルヘテロ構造が含まれており、ほかに、2次元スラブ導波路と2次元量子井戸が組み合わさった部分も含まれている。すなわち、1D電子-1D光のほかに、2D電子-1D光、3D電子-1D光、2D電子-2D光などのさまざまな複合量子化半導体構造が同時に組み込まれている。それらのすべてのレーザー発振の特性を比較して議論することができた。このほか、1次元励起子と1次元連続状態の吸収スペクトルの分離に成功し、1次元系特有のゾンマーフェルト因子の評価などが達成できた。

報告書

(5件)
  • 2001 実績報告書   研究成果報告書概要
  • 2000 実績報告書
  • 1999 実績報告書
  • 1998 実績報告書
  • 研究成果

    (81件)

すべて その他

すべて 文献書誌 (81件)

  • [文献書誌] M.Yoshita: "Formation of flat monolayer-step-free(110)GaAs surfaces by growth interruption annealing during cleaved-edge epitaxial overgrowth"Jpn. J. Appl. Phys. Part. 2 letters. 40. L252-L254 (2001)

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      2001 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] T.Makino: "Temperature dependence of near ultraviolet photoluminescence in ZnO/(Mg, Zn)O multiple quantum wells"Appl. Phys. Lett.. 78. 1979-1981 (2001)

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      2001 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] T.Unuma: "Effects of interface roughness and phonon scattering on intersubband absorption linewidth in a GaAs quantum well"Appl. Phys. Lett.. 78. 3448-3450 (2001)

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  • [文献書誌] M.Yoshita: "Large terrace formation and modulated electronic states in (110) GaAs quantum wells"Phys. Rev. B. 63. 075305-1-9 (2001)

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      2001 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] S.Koshiba: "Transformation of GaAs (001)-(111)B facet structure by surface diffusion during molecular beam epitaxy on patterned substrates"J. Cryst. Growth.. 227/228. 62-66 (2001)

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  • [文献書誌] T.Tsujikawa: "Fabrication and optical properties of GaAs/AlGaAs quantum dot grown in tetrahedral-shaped recesses on GaAs (111)B substrates by MOVPE"Physica E. 7. 308-316 (2000)

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  • [文献書誌] R.Sasagawa: "量子井戸を吸収層と検出層に用いた波長選択性赤外ボロメータ素子の提案と特性解析"電子情報通信学会論文誌C. J83-C-No.6. 523-532 (2000)

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  • [文献書誌] 吉田正裕: "ソリッドイマージョンレンズを用いた顕微蛍光計測法"日本物理学会誌. 55. 772-778 (2000)

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  • [文献書誌] M.Morita: "Photolumunescenec of CdS : Mn2+ and Eu3+ nanoparticles dispersed in zirconia sol-gel films"J. of Luminescence. 87-89. 478-481 (2000)

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  • [文献書誌] H.Sakaki: "10nm-scale edge-and step-quantum wires and related structures Progress in their desgn, epitaxial, and physics"Physica E. 4. 56-64 (1999)

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  • [文献書誌] J.Kono: "Picosecond time-resolved cyclotron resonance in semiconductors"Appl. Phys. Lett.. 75(8). 1119-1121 (1999)

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  • [文献書誌] Y.Hanamaki: "Spontaneous emission alteration in In GaAs/GaAs vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) structures"Semicond. Sci. Technol.. 14. 797-803 (1999)

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  • [文献書誌] M.Baba: "Application of solid immersion lens to submicron resolution imaging of nano-scale quantume wells"Optical Review. 6. 257-260 (1999)

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  • [文献書誌] H.Yaguchi: "Time-Resolved Photoluminescence of Cubic GaN Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy"Phys. Stat. Sol(b). 216. 237-240 (1999)

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  • [文献書誌] T.Matsusue: "Coherent dynamics of excitons in an island-inserted GaAs/AlAs quantum well structure : Suppression of phase relaxation and a deep quantum beat"Jpn. J. Appl. Phys.. 38. 2735-2740 (1999)

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  • [文献書誌] M.Yoshita: "Carrier transfer in facet-growth GaAs quantum wells studied by solid immersion photoluminescence microscopy"Inst. Phys. Conf. Ser. No 162, Compound Semiconductors 1998, edited by H. Sakaki, J. C. Woo, N. Yokoyama, and Y. Hirayama, (LOP publishing, Bristol, 1999). 143-148 (1999)

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  • [文献書誌] S.Watanabe: "Microscopy of electric states contributing to lasing in ridge quantum-wire"Appl. Phys. Lett.. 75. 2190-2192 (1999)

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      2001 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] K.Koyama: "High collection efficiency in fluorescence microscopy with a solid immersion lens"Appl. Phys. Lett.. 75. 1667-1669 (1999)

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      2001 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] S.Koshiba: "Fabrication and Control of GaAs/AlAs 10 nano-meter scale Structure by MBE"Transactions of the Materials Research Society of Japan. 24[1]. 93-96 (1999)

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      2001 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] S.Koshiba: "Selective molecular beam epitaxy (MBE) growth of GaAs/AlAs ridge structures containing 10 nm scale wires and side quantum wells (QWs) and their stimulated emission characteristics"J. Crystal Growth. 201/202. 810-813 (1999)

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  • [文献書誌] M.Baba: "Aberrations and allowances for errors in a hemisphere solid immersion lens for submicron-resolution photoluminescence microscopy"J. Appl. Phys.. 85. 6923-6925 (1999)

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  • [文献書誌] T.Someya: "Shape analysis of wave functions in T-shaped quantum wires by means of magneto-photoluminescence spectroscopy"Soli State Communications. 108. 923-927 (1998)

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  • [文献書誌] K.B.Nordstrom: "Excitonic dynamical Franz-Keldysh effect"Phys. Rev. Lett.. 81. 457-460 (1998)

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  • [文献書誌] M.Yoshita: "Solid immersion photoluminescence microscopy on carrier diffusion and drift in facet-growth GaAs quantum wells"Appl. Phys. Lett.. 73. 2965-2967 (1998)

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  • [文献書誌] M.Yoshita: "Application of solid immersion lens to high-spatial resolution photoluminescence imaging of GaAs quantum wells at low temperatures"Appl. Phys. Lett.. 73. 635-637 (1998)

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  • [文献書誌] S.Watanabe: "Stimulated emission in ridge quantum wire laser structures measured with optical pumping and microscopic imaging methods"Appl. Phys.. 73. 511-513 (1998)

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  • [文献書誌] H.Akiyama: "One-dimensional excitons in GaAs quantum wires"J. Phys. Condensed Matter. 10. 3095-3139 (1998)

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      2001 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] M.Yoshita: "Micro-photoluminescence characterization of cleaved edge overgrowth T-shaped InGaAs quantum wires"J. Appl. Phys.. 83. 3777-3783 (1998)

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      2001 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] T. Unuma: "Effects of interface roughness and phonon scattering on intersubband absorption line width in a GaAs quantum well"Appl. Phys. Lett.. 78(22). 3448-3450 (2001)

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  • [文献書誌] T. Makino: "Temperature dependence of near, ultra violet photoluminescence in ZnO/(Mg, Zn)O multiple quantum wells"Appl. Phys. Lett.. 78(14). 1979-1981 (2001)

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  • [文献書誌] M. Yoshita: "Formation of flat monolayer-step-free (110) GaAs surfaces by growth interruption overgrowth"Jpn. J. Appl. Phys. part2. 40. L252-L254 (2001)

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  • [文献書誌] M. Yoshita: "Large terrace formation and modulated electronic states in (110) GaAs quantum wells"Phys. Rev. B. 63. 075305-1-9 (2001)

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  • [文献書誌] T. Tsujikawa: "Fabrication and optical properties of GaAs/AlGaAs quantum dot grown in tetrahedral-shaped recesses on GaAs (111)B substrates by MOVPE"Physica E. 7. 308-316 (2000)

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  • [文献書誌] M. Morita: "Photoluminescence of CdS : Mn2+ and Eu3+ nanoparticles dispersed in zirconia; sol-gel films"J. of Luminescence. 87-89. 478-481 (2000)

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  • [文献書誌] H. Sakaki: "10 nm scale edge and step-quantum wires and related structures: Progress in their desgn, epitaxial synthesis and physics"Physica E. 456-64. (1999)

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  • [文献書誌] J. Kono: "Picosecond time-resolved cyclotron resonance in semiconductors"Appl. Phys. Lett.. 75(8). 1119-1121 (1999)

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  • [文献書誌] Y. Hanamaki: "Spontaneous emission alteration in InGaAs/GaAs vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) structures"Semicond. Sci. Technol.. 14. 797-803 (1999)

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  • [文献書誌] M. Baba: "Application of solid immersion lens to submicron resolution imaging of nano-scale quantume wells"Optical Review. 6. 257-260 (1999)

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  • [文献書誌] H. Yaguchi: "Time-Resolved Photoluminescence of Cubic GaN Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy"Phys. Stat. Sol (b). 216. 237-240 (1999)

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  • [文献書誌] T. Matsusue: "Coherent dynamics of excitons in an island-inserted GaAs/AlAs quantum well structure: Suppression of phase relaxation and a jeep quantum beat"Jpn. J. Appl. Phys.. 38. 2735-2740 (1999)

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  • [文献書誌] M. Yoshita: "Carrier transfer in facet-growth GaAs quantum wells studied by solid immersion photoluminescence microscopy"Inst. Phys. Conf. Ser. No 162, Compound Semiconductors 1998, edited by H. Sasaki, J. C. Woo, N. Yokoyama, and Y. Hirayama, (IOP publishing, Bristol, 1999). 143-148 (1999)

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  • [文献書誌] S. Watanabe: "Microscopy of electric states contributing to lasing in ridge quantum-wire"Appl. Phys. Lett.. 75. 2190-2192 (1999)

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  • [文献書誌] K. Koyama: "High collection efficiency in fluorescence microscopy with a solid immersion lens"Appl. Phys. Lett.. 75. 1667-1669 (1999)

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  • [文献書誌] S. Koshiba: "Fabrication and Control of GaAs/AlAs 10 nano-meter scale Structure by MBE"Transactions of the Materials Research Society of Japan. 24 [1]. 93-96 (1999)

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      2001 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] S. Koshiba: "Selective molecular beam epitaxy (MBE) growth of GaAs/AlAs ridge structures containing 10 nm scale wires and side quantum wells (QWs) and their stimulated emission characteristics"J. Crystal Growth. 201/202. 810-813 (1999)

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  • [文献書誌] M. Baba: "Aberrations and allowances for errors in a hemisphere solid immersion lens for submicron-resolution photoluminescence microscopy"J. Appl. Phys.. 85. 6923-6925 (1999)

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      2001 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] T. Someya: "Shape analysis of wave functions in T-shaped quantum wires by means of magnet-photoluminescence spectroscopy"Solid State Communications. 108. 923-927 (1998)

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  • [文献書誌] K. B. Nordstrom: "Excitonic dynamical Franz-Keldysh effect"Phys. Rev. Lett. 81. 457-60 (1998)

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  • [文献書誌] M. Yoshita: "Solid immersion photoluminescence microscopy on carrier diffusion and drift in facet-growth GaAs quantum wells"Appl. Phys. Lett.. 73. 2965-2967 (1998)

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  • [文献書誌] M. Yoshita: "Application of solid immersion lens to high-spatial resolution photoluminescence imaging of GaAs quantum wells at low temperatures"Appl. Phys. Lett.. 73. 635-637 (1998)

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  • [文献書誌] S.Koshiba,: "Selective molecular beam epitaxy(MBE)growth of GaAs/AlAs ridge structures containing 10 nm scale wires and side quantum wells(QWs)and their stimulated emission sharacteristics,"J.Crystal.Growth. 201/202. 810-813 (1999)

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  • [文献書誌] S.Koshiba,: "Fabrication and Control of GaAs/AlAs 10 nano-meter scale Structure by MBE,"Transactions of the Materials Research Society of Japan. 24[1]. 93-96 (1999)

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  • [文献書誌] M.Yoshita,: "Carrier transfer in facet-growth GaAs quantum wells studied by solid immersion photoluminescence microscopy,"J Phys.Conf Ser No162/Conpound Semiconductors. 162. 143-148 (1999)

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  • [文献書誌] M.Baba,: "Aberrations and allowances for errors in a hemisphere solid immersion lens for submicronresolition photoluminescence microscopy"J.Appl.Plrys.. 85. 6923-6925 (1999)

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  • [文献書誌] M.Baba,: "Application of solid immersion lens to submicron resolution imaging of nano-scale quantum wells"Opt.Rev.. 6. 257 (1999)

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  • [文献書誌] K.Koyama,: "High collection efficiency in fluorescence microscopy with a solid immersion lens"Appl.Phys.Lett.. 75. 1667-1669 (1999)

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  • [文献書誌] Y.Hanamaki,: "Spontaneous emission alteration in InGaAs/GaAs vertical-cavity surfase-emitting laser structures"Semicond.Sci Technol.. 14. 797-803 (1999)

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  • [文献書誌] H.Sakaki,: "10nm-scale edge-and step-quantum wires and related structures : Progress in their design, epitaxial synthesis and physics"Physica E. 4. 56-64 (1999)

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  • [文献書誌] T.Matsusue,: "Conherent dynamics of excitons in an island-inserted GaAs/AlAs quantum well structure : Suppression of phase relaxation and a deep quantum beat"Jpn.J.Appl.Phys,. 38. 2735-2740 (1999)

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  • [文献書誌] H.Yaguchi,: "Time-resolved photoluminescence of cubic GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy"Phys.Stat.Sol.(b). 216. 237-240 (1999)

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  • [文献書誌] M.Yoshita: "Micro-photoluminescence characterization of cleaved edge overgrowth T-shaped InGaAs quantum wires" Journal of Applied Physics. 83. 3777-3783 (1998)

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公開日: 1998-04-01   更新日: 2016-04-21  

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