| 研究課題/領域番号 |
10555022
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 展開研究 |
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| 研究分野 |
応用物理学一般
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| 研究機関 | 京都大学 |
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研究代表者 |
橘 邦英 京都大学, 工学研究科, 教授 (40027925)
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| 研究分担者 |
中村 敏浩 京都大学, 工学研究科, 助手 (90293886)
八坂 保能 京都大学, 工学研究科, 助教授 (30109037)
斧 高一 京都大学, 工学研究科, 教授 (30311731)
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| 研究期間 (年度) |
1998 – 1999
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| 研究課題ステータス |
完了 (1999年度)
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| 配分額 *注記 |
10,800千円 (直接経費: 10,800千円)
1999年度: 4,100千円 (直接経費: 4,100千円)
1998年度: 6,700千円 (直接経費: 6,700千円)
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| キーワード | プラズマプロセス / 微細構造エッチング / 顕微干渉分光法 / インプロセス・モニタリング / 二次元加工形状診断 / 二次元加工速度診断 |
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| 研究概要 |
本研究では、超LSIのプロセスにおいて高アスペクト比のデバイシスパターンの加工形状をin situ(その場で)モニターするために、マイケルソン干渉計と顕微光学系を組み合わせた新しい方法として、サブミクロンの空間分解能を有する実用的な顕微干渉分光法を設計・製作し、その特性評価を行うことを目的としている。初年度では、基本構成として単色レーザー光源、マイケルソン干渉計並びに高感度CCD撮像システムから成る二次元顕微干渉装置の光学系の設計と製作を行った。次年度では、その動作特性の評価を進めてきたが、機械的な振動等の外乱への対策が必要であることが判明し、剛性の高い構造に設計変更するとともに、ソフトウエア的に補正を行う対策についても検討を加えた。
一方、現状のSiO_2のエッチングプロセスでは、フロロカーボンガスの高密度プラズマを用いてSi_3N_4やフォトレジストに対する高い選択性を実現することが重要課題になっている。計画の後半ではこの問題に取り組むために、それらの材料に対するエッチングレートの精密なin situ測定に本研究で開発した方法を適用した。そこでは、ガス圧、流量、投入電力等のプラズマ条件に対するエッチング速度の材料依存性を気相でのラジカル計測の結果と対応付けて、選択性発現に対するプラズマ中や表面での反応の機構を検討した。
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