| 研究課題/領域番号 |
10555105
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 展開研究 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 島根大学 |
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研究代表者 |
梶川 靖友 島根大学, 総合理工学部, 助教授 (00294364)
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| 研究分担者 |
三橋 豊 三菱電気株式会社, 高周波光素子事業総括部, グループマネージャー(研究職)
永井 豊 三菱電気株式会社, 高周波光素子事業総括部, 主幹(研究職)
森谷 明弘 島根大学, 総合理工学部, 教授 (70029304)
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| 研究期間 (年度) |
1998 – 2000
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| 研究課題ステータス |
完了 (2000年度)
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| 配分額 *注記 |
12,600千円 (直接経費: 12,600千円)
2000年度: 1,300千円 (直接経費: 1,300千円)
1999年度: 5,700千円 (直接経費: 5,700千円)
1998年度: 5,600千円 (直接経費: 5,600千円)
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| キーワード | 化合物半導体 / レーザダイオード / 分子線エピタキシー / 混晶 / 結晶成長 / 光通信 / 光デバイス / レーザーダイオード |
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| 研究概要 |
1.InAs基板上へのInTlAsの分子線結晶成長を試み、T1組成0.12%程度のInTlAsが成長できたことをラザフォード後方散乱分析と組み合わせた二次イオン質量分析による元素定量分析により確認した。また、このInTlAsの格子定数はInAuよりも小さいことをX線回折法により発見した。
2.GaAs基板上へのGaTlAsの分子線結晶成長を試み、成長温度を150℃まで下げることによりTl組成を2.8%まで増大できることを見いだした。また、このような低温成長における砒素分子線圧力の影響についても調べた。
3.高温分子線セルによる固体ボロンの蒸発によりBGaAsを分子線結晶成長する試みでは、2000℃まで高温分子線セルの温度を上げても十分な分子線強度が得られないことがわかった。これに代えて分子線結晶成長装置にガスソースセルをとりつけて、トリエチルボランを用いたBGaAsの有機金属分子線結晶成長を開始した。
4.種々の(11l)基板上のひずみ量子井戸におけるバンド間遷移の偏光異方性を、無限に高い障壁高さを仮定し、スピン軌道分裂バンドの影響をとりいれて計算した。さらに(110)基板上のひずみ量子井戸における価電子帯の基底状態を、障壁高さの有限性をとりいれて計算した結果、障壁層におけるスピン軌道分裂バンドが量子井戸の基底状態の波動関数に重大な影響を与えることがわかった。
5.(110)GaAs傾斜基板上へ成長したGaAsおよびAlGaAsの表面を原子間力顕微鏡で観察した結果、準周期的な段丘構造を見い出した。また、(001)GaAs基板上へ成長したAlGaAs/InGaAs/AlGaAsダブルへテロ接合に関し、成長の各途中段階での表面を原子間力顕微鏡で観察し、持続性光伝導との関連を調べた。
6.波長可変パルスレーザを励起光源とするフォトルミネッセンス励起分光システムを構築した。
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