| 研究課題/領域番号 |
10555216
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 展開研究 |
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| 研究分野 |
無機材料・物性
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| 研究機関 | 東京工業大学 |
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研究代表者 |
長谷川 哲也 東京工業大学, 応用セラミックス研究所, 助教授 (10189532)
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| 研究分担者 |
長谷川 哲也 東京工業大学, 応用セラミックス研究所, 助教授 (10189532)
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| 研究期間 (年度) |
1998 – 1999
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| 研究課題ステータス |
完了 (1999年度)
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| 配分額 *注記 |
4,400千円 (直接経費: 4,400千円)
1999年度: 1,300千円 (直接経費: 1,300千円)
1998年度: 3,100千円 (直接経費: 3,100千円)
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| キーワード | プローブ誘起相転移 / 金属一絶縁体転移 / 走査トンネル顕微鏡 / 層状物質 / 遷移金属カルコゲナイト / (1)プローブ誘起相転移 / (2)金属-絶縁体転移 / (3)走査トンネル顕微鏡 / (4)層状物質 / (5)遷移金属カルコゲナイト / 金属-絶縁体転移 |
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| 研究概要 |
本研究では、申請者が見い出した新現象-プローブ誘起相転移-を利用して、新しい原理に基づくnmスケールの超高密度記憶を実現することを目的とし、硫化カルゴネゲナイト材料中に情報を再現性良く「読み書き」するための実験条件の最適化を行った。
物質探索を進めた結果、セレンをドープした硫化イオウ系において、nmサイズの網目状構造を得た。また同材料の金属一絶縁体転移温度(180K)の直上において、走査トンネル顕微鏡(STM)の探針を走査したところ、局所的に絶縁体領域を「書き込む」ことに成功した。また、昇温することにより、一旦書き込んだ情報をすべてクリアできることも確認した。従って、本手法はリードオンリメモリとしての実用化が期待できる。網目の最小サイズは5nmであり、テラバイト-cm2レベルの超高密度が達成できる可能性がある。
上記系では、実験温度を精密に制御する必要があったが、純粋な硫化イオウ系において合成条件を工夫した結果、室温においてもプローブ誘起相転移現象を確認した。本試料はマクロな意味では金属一絶縁体転移を示さず、結晶内に大きな歪みが存在するものと考えられる。この歪みを局所プローブにより緩和することで、高温においてもプローブ誘起相転移が起こったものと推測される。
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