| 研究課題/領域番号 |
10555220
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 展開研究 |
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| 研究分野 |
無機材料・物性
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| 研究機関 | 大阪府立大学 |
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研究代表者 |
伊藤 太一郎 大阪府立大学, 工学研究科, 教授 (10081366)
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| 研究分担者 |
神澤 公 ローム(株), VLSI開発研究所, 部長代理(研究職)
芦田 淳 大阪府立大学, 大学院・工学研究科, 助手 (60231908)
藤村 紀文 大阪府立大学, 大学院・工学研究科, 助教授 (50199361)
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| 研究期間 (年度) |
1998 – 2000
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| 研究課題ステータス |
完了 (2000年度)
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| 配分額 *注記 |
11,200千円 (直接経費: 11,200千円)
2000年度: 1,400千円 (直接経費: 1,400千円)
1999年度: 1,600千円 (直接経費: 1,600千円)
1998年度: 8,200千円 (直接経費: 8,200千円)
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| キーワード | YMnO_3 / Y_2O_3 / Siキャパシタ / 強誘電体FET / 強誘電体メモリ / 界面還元修飾法 / エピタキシャル構造 / 界面還元修飾 / MFIS-FET / 強誘電体トランジスタ / 強誘電体不揮発性メモリー / YMnO3 / Y2O3 / トランジスタ型 |
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| 研究概要 |
強誘電体を用いた半導体不揮発性メモリは、DRAMやSRAM並みの速度とフラッシュメモリに代表される不揮発性を併せ持つ夢のメモリとして期待されすでに低容量のものは実用化されている。このような強誘電体の蓄積電荷(分極反転電流)を用いたFeRAMと呼ばれるタイプのメモリに比べて半導体のスケーリング則が成り立ち、大容量化および低消費電力化が可能であるFETタイプのメモリ(Ferro-FET)は、次世代デバイスとして期待されているもののまだ物質探索の域を出ていない。その原因としてFerro-FETの動作原理がFeRAMのそれとは全く異なるためである。本研究では最初に、Ferro-FETを具現化するため強誘電体物質に必要な物性値を議論し、新物質を探索する指針を議論した。物質選定されたYMnO_3/Y_2O_3/Si構造の特性と問題点その解決法を明らかにするとともに、界面還元修飾法を用いて、Y_2O_3/Siエピタキシャル構造を作成した。同時にYMnO_3薄膜の成長の最適化をすすめた。
最終的に1万秒以上の保持時間を有するYMnO_3/Y_2O_3/Siキャパシタを作成することに成功した。
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