| 研究課題/領域番号 |
10555229
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 展開研究 |
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| 研究分野 |
構造・機能材料
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| 研究機関 | 長岡技術科学大学 |
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研究代表者 |
齋藤 秀俊 (斎藤 秀俊) 長岡技術科学大学, 工学部, 助教授 (80250984)
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| 研究分担者 |
吉村 功 旭化成工業(株), 製品技術研究所, 室長(研究職)
木下 秀雄 旭化成工業(株), 化成品開発技術センター, 副参事(研究職)
大塩 茂夫 長岡技術科学大学, 工学部, 教務職員 (90160473)
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| 研究期間 (年度) |
1998 – 2000
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| 研究課題ステータス |
完了 (2000年度)
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| 配分額 *注記 |
6,700千円 (直接経費: 6,700千円)
2000年度: 800千円 (直接経費: 800千円)
1999年度: 3,500千円 (直接経費: 3,500千円)
1998年度: 2,400千円 (直接経費: 2,400千円)
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| キーワード | CVD / シナジー / チタニア / アニール / IR / 水酸化チタン / 酸化物膜 / 樹脂 / シリカ / アクリル / ポリカーボネート / 酸化物 |
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| 研究概要 |
大気開放型化学気相析出(CVD)法で作製される水酸化物膜は、ゾル-ゲル法の乾燥ゲル体とアルキル基の有無による違いはあるものの構造が類似していると考えられる。本研究では、適当な樹脂基材上に結晶性酸化物膜を得るための展開研究を行った。シリコン、シリカガラス、アクリル樹脂、PETおよびポリイミドなどの基材上に比較的低温で水酸化物膜を形成し、低温ポストアニールで結晶性クラックフリー酸化物膜を得た。クラックフリーの膜を得るための結晶化挙動を、赤外分光分析法、X線回折法、走査型電子顕微鏡法および示差熱天秤法を用いて熱的に検討した。まず大気開放型CVD法を用いてアモルファス水酸化チタン膜を基板加熱温度120℃から360℃の条件で原料気体温度300℃以下で得た。この試料に対して、500℃までのアニールを行なうと基板温度の低い条件(基板温度200℃)で作製されたアモルファス膜は、構造的に結晶から遠いため、自由体積が大きく、アニールによる結晶化挙動が比較的低温で起こりやすい。一方、基板温度の高い条件(基板温度 280℃)で作製されたアモルファス膜では、構造的に結晶に近いため、自由体積が小さく、アニールによる結晶化挙動が比較的低温で起こりにくい。クラックを起こさずにポストアニールによって比較的低温で酸化物膜の結晶化を行うには、自由体積の大きいアモルファス膜を形成することが有利であることがわかった。
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