| 研究課題/領域番号 |
10640299
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
固体物性Ⅰ(光物性・半導体・誘電体)
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
小谷 章雄 東京大学, 物性研究所, 教授 (90029504)
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| 研究分担者 |
小笠原 春彦 東京大学, 物性研究所, 助手 (80262161)
岡田 耕三 岡山大学, 物理学部, 助教授 (70194355)
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| 研究期間 (年度) |
1998 – 2001
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| 研究課題ステータス |
完了 (2001年度)
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| 配分額 *注記 |
3,500千円 (直接経費: 3,500千円)
2001年度: 500千円 (直接経費: 500千円)
2000年度: 500千円 (直接経費: 500千円)
1999年度: 900千円 (直接経費: 900千円)
1998年度: 1,600千円 (直接経費: 1,600千円)
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| キーワード | 共鳴X線発光分光 / 希土類化合物 / 遷移金属化合物 / クラスター模型 / 偏光依存性 / 電荷移動 / 電子相関 / 円偏光磁気二色性 / 共鳴X線発光 / 干渉効果 / 電気四重極子励起 / 配置間相互作用 / 内殻正孔 / 遍歴性 / 局在性 / 円偏光二色性 |
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| 研究概要 |
共鳴X線発光分光(RXES)は電子状態の研究のための有力な手段であるが、精度のよい実験データを得るためには輝度の高い光源が不可欠で、ようやく最近、第三世代放射光源が世界で稼働をはじめたことにより、その研究が飛躍的な進歩をとげようとしている。われわれは、RXESの重要性に鑑み、理論面からfおよびd電子系のXESを強力に発展させることを目的として本研究に着手した。理論の基本的な枠組みとして、コヒーレントな二次光学過程の表式を中心に据え、クラスター模型や不純物アンダーソン模型による電子状態の記述を用いた。希土類化合物や遷移金属化合物のRXESに反映される電子状態の情報を理論的に解明する一方、世界8カ国の実験家と共同研究を行い、新しい実験データの理論解析を進めた。具体的には、遷移金属化合物のRXESにおけるクライスターサイズ依存性の計算、希土類化合物および還移金属化合物のRXESの偏光依存性、電気四重極子遷移における角度依存性、強磁性体のRXESの円偏光磁気二色性などの計算を通じて、これらの物質の基底状態、比較的低エネルギーの励起状態、および内殻電子の高エネルギー励起状態に関して、電荷移動、電子相関、多重項分裂などの効果を明らかにすることができた。これらの成果は60篇を越す論文として公表され、国際会議における12の招待講演として発表されるなど、国際的に高い評価を受けた。
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