| 研究課題/領域番号 |
10640305
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
固体物性Ⅰ(光物性・半導体・誘電体)
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
大山 忠司 大阪大学, 大学院・理学研究科, 教授 (40029715)
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| 研究分担者 |
小堀 裕己 大阪大学, 大学院・理学研究科, 助手 (90202069)
藤井 研一 大阪大学, 大学院・理学研究科, 助教授 (10189988)
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| 研究期間 (年度) |
1998 – 1999
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| 研究課題ステータス |
完了 (1999年度)
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| 配分額 *注記 |
3,300千円 (直接経費: 3,300千円)
1999年度: 1,200千円 (直接経費: 1,200千円)
1998年度: 2,100千円 (直接経費: 2,100千円)
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| キーワード | サイクロトロン共鳴 / フォトルミネッセンス / 光検知サイクロトロン共鳴 / 量子ドット / 共鳴光電磁効果 / 励起子 / 発光確率 / スピン・軌道相互作用 / 化合物半導体 / 2次元電子系 / 衝突イオン化 / 束縛励起子 |
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| 研究概要 |
平成10年度および11年度に亘って、マイクロ波および遠赤外レーザーを基本とする光検知サイクロトロン共鳴(ODCR)装置の組み上げと整備を行った。また、小型高感度分光器を採用したマルチ側光システムを完成させた。これらの装置を用いて行った研究成果の概要は以下の通りである。
(1)基板上に成長させた薄膜のInGaAsに関するODCR測定を行い、薄膜と基板の界面には薄膜内部とは異なる不純物の偏析や歪みに起因する特殊な電子状態が存在することが判明した。
(2)CaAs系の2次元電子系を基本とする量子ドットを作製し、それに関するODCR測定を行った。その結果、量子ドットの界面ポテンシャルが外部からの光励起によって影響を受け、内部に閉じ込められた電子状態が変調されることが判った。
(3)InSbとInGaAsにおける共鳴光電磁効果によって、基板上に成長した薄膜試料とバルク結晶では電子のサイクロトロン共鳴によって加熱された試料における熱流の方向に大きな違いがあることが判った。これは基板が大きな熱溜めの役割を果たしていることを実験的に明かにした。
(4)ZnSeに関するODCR測定から、電子、自由励起子および束縛励起子系間におけるエネルギー交換の機構が不純物や双晶界面の有無に大きく依存することを明かにした。
(5)ZnSやCdSなどのII-VI族化合物半導体に添加されたMnの赤色発光の起源を明らかにし、その発光確率がMnを囲む周辺の原子のスピン・軌道相互作用定数に強く依存することを解明した。
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