| 研究概要 |
超伝導層の厚さを固定し,磁性層の厚さd_fを厚くしたとき,臨界温度T_cは十分に薄いd_fの領域では単調減少,十分に厚い領域では飽和し,その間に極小値を持つ場合がある.この結果は磁性層間で,対関数の位相差が常に一定ではなく,d_fの小さい領域では位相差が0であるが,厚い場合はπになっているからであり,磁性を特徴づける交換ポテンシャルの大きさが重要であることを指摘し,臨界温度・上部臨界磁場H_<c2>に関する詳しい研究を行った.
上記T_c・H_<c2>はオーダーパラメターの線形項で決まる量である.しかし,臨界温度や上部臨界磁場から離れた状態では非線形が重要となる.均一な超伝導体ではこの項は理論的に求められているが,層状超伝導体のような不均一な超伝導体に対してはまだ理論的な研究が無かった.本研究でこのような場合に対して非線形項の解析的な表式を導出し,これを使い磁化の温度変化の指標となるκ_2パラメターを磁性層を含まない層状超伝導体に外部磁場が垂直に印加した場合に対して求めた.磁性層を含む場合のκ_2パラメターは研究中である.
また,層状超伝導体Nb/NbZrの上部臨界磁場H_<c2>(φ)の角度依存性で層に平行方向だけでなく垂直方向にもピークが観測された.NbとNbZrの超伝導臨界温度がほぼ等しいことから,拡散係数D(z)が空間変化しているとして,磁場が層にほぼ垂直な場合に対してH_<c2>(φ)の角度φ依存性を求めた.この系では結晶作製のとき柱状成長しやすいことに関係し,拡散係数の層に平行方向の値が垂直方向の値より小さいことを指摘した.
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