| 研究課題/領域番号 |
10640362
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
物性一般(含基礎論)
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
高山 一 東京大学, 物性研究所, 教授 (40091475)
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| 研究分担者 |
藤堂 眞治 東京大学, 物性研究所, 助手 (10291337)
福島 孝治 東京大学, 物性研究所, 助手 (80282606)
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| 研究期間 (年度) |
1998 – 1999
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| 研究課題ステータス |
完了 (1999年度)
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| 配分額 *注記 |
1,400千円 (直接経費: 1,400千円)
1999年度: 700千円 (直接経費: 700千円)
1998年度: 700千円 (直接経費: 700千円)
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| キーワード | スピングラス / エイジング現象 / EA模型 / モンテカルロ・シミュレーション / ドメイン成長 / 液滴描像 / 記憶効果 / 若返り効果 / 平均場描像 / ドメイン壁 |
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| 研究概要 |
スピングラス(SG)秩序相におけるエイジング現象―転移温度T_C以下に急冷された後に系が示す、平衡状態へ向かう緩和過程―に関して、3,4次元イジングEA模型に対して大規模なモンテカルロ・シミュレーションによる解析を行ない、以下の成果を得た。
系をT_C以下の温度Tに急冷した後、温度Tの平衡状態に系が緩和する過程(等温エイジング過程)に対して、スピン自己相関関数や相互作用エネルギー等種々の物理量の時間発展を調べ、この過程は、局所的なSG平衡状態にあるドメインが、熱活性化過程の反転によって時間の経過とともに成長していく過程であること、その詳細が、液滴描像から導かれるドメインサイズを用いたスケーリング表式でよく記述されることを明らかにした。
温度T_1での等温エイジングにおいて待ち時間t_<W1>後に系の温度をT_2にシフトした以降のT_2における緩和過程(温度シフト過程)を詳しく解析した結果、そのエイジング過程は、シフト直前に温度T_1に対して局所平衡であったドメイン内の液滴励起が、温度シフト後にはそのサイズが小さいものから順次、温度T_2に対する局所平衡へ移行し(これを'準ドメイン'の成長と呼ぶ)、そのサイズがほぼ待ち時間t_<W1>でのドメインサイズに達した後は、系全体が温度T_2の平衡状態へ緩和する過程(ドメイン中の準ドメイン描像)として解釈できることを見い出した。この描像はドメインが、温度シフトがあっても連続的に成長することに基づいており、現実のSGで観測されている記憶効果をよく説明する。但し、実験で見られている温度シフト直後の若返り効果はシミュレーションでは再現されておらず、今後の課題として残された。
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