研究課題/領域番号 |
10650008
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研究種目 |
基盤研究(C)
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配分区分 | 補助金 |
応募区分 | 一般 |
研究分野 |
応用物性・結晶工学
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研究機関 | 愛知教育大学 |
研究代表者 |
野田 三喜男 愛知教育大学, 教授 (10024324)
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研究期間 (年度) |
1998 – 1999
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研究課題ステータス |
完了 (1999年度)
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配分額 *注記 |
3,500千円 (直接経費: 3,500千円)
1999年度: 700千円 (直接経費: 700千円)
1998年度: 2,800千円 (直接経費: 2,800千円)
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キーワード | ダイヤモンド膜 / プラズマCVD / パルス放電 / 間欠放電 / 補助電極 / 微細構造 / プラズマ発光分析 / 電極間距離 / アルミニュウム基板 / 膜質の制御 |
研究概要 |
1.ダイヤモンド膜を、間欠およびパルス化したDCプラズマ化学気相成長法の両者で作製した。間欠放電は、半波整流波形でおこない、パルス化した放電は、各周期の放電時間(Td)と放電停止時間(Tn)を独立に変化できるようにした。陰極近傍に補助電極を設置して、この補助電極と陰極間で安定した放電をおこない、基板(陽極)と陰極間の放電を、基板に加える別の電源によっても制御できるようにした。この方法により、基板と陰極間の距離、放電時ガス圧力、放電電流などをより広く変化させても放電が可能になり、次の結果を得ることができた。 2.放電を半波整流波形でおこなう間欠放電プラズマCVDで試料を作製する場合、電極間距離を20・25mm程度にすると、10および30mmの場合にくらべて結晶性がよくなることを見出した。(Jpn.J.Appl.Phys.で発表) 3.膜の結晶性は、Tdを短くし、Tnを長くすると良くなった。成膜速度は、Tdを0.5msより短くし、Tnを2msより長くすると遅くなった。成膜速度があまり減少せず結晶性の良いダイヤモンド膜が得られるTdとTnは、それぞれ、0.5msおよび2msであった。成膜速度は、プラズマ中のH_αとH_βの発光強度が減少すると遅くなり、結晶性は、これらの水素の発光強度から求めた励起温度が増加すると良くなった。(ADC/FCT'99,信学技報で発表) 4.放電時ガス圧力(Pg)を高くすると、とくにPgが150Torr以上になると、成膜速度と結晶性が著しくよくなった。これらの変化に対応して、プラズマ中のC_2の発光強度が顕著に増加した。(発表予定)
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