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Si結晶中の照射誘起欠陥の動的挙動の解明とプロセス応用

研究課題

研究課題/領域番号 10650013
研究種目

基盤研究(C)

配分区分補助金
応募区分一般
研究分野 応用物性・結晶工学
研究機関九州大学

研究代表者

佐道 泰造 (1999)  九州大学, 大学院・システム情報科学研究科, 助教授 (20274491)

鶴島 稔夫 (1998)  九州大学, 大学院システム情報科学研究科, 教授 (10236953)

研究分担者 権丈 淳  九州大学, 大学院・システム情報科学研究科, 助手 (20037899)
佐道 泰造  九州大学, 大学院システム情報科学研究科, 助教授 (20274491)
研究期間 (年度) 1998 – 1999
研究課題ステータス 完了 (1999年度)
配分額 *注記
3,600千円 (直接経費: 3,600千円)
1999年度: 1,100千円 (直接経費: 1,100千円)
1998年度: 2,500千円 (直接経費: 2,500千円)
キーワードシリコン / イオンビーム / 照射誘起欠陥 / シリサイド / 結晶成長 / 酸化
研究概要

低エネルギーイオンビームにより導入される照射誘起欠陥の動的挙動を解明し、半導体プロセスへの応用の可能性を探索した。
まず、低エネルギーイオンビームのパルス化照射を用いて、イオン照射誘起欠陥の媛和過程の基礎特性を調べ、照射誘起欠陥の緩和時間を明らかにした。つぎに、イオン照射効果を半導体プロセスに応用する可能性を探るため、ECRプラズマを用いたイオンアシスト酸化過程を系統的に調べ、酸化反応を律速する要因を解明するとともに、高品質な酸化膜を形成するためのプロセス条件の指針を明らかにした。主な結論をまとめると以下のようになる。
1.膜厚600nmのSi結晶薄膜(SOS)中に、エネルギー25keVのアルゴンイオンビームにより誘起される照射誘起欠陥の緩和時間は、1μs以下である。
2.シリコン酸化膜上に形成した膜厚25nmのCoSi_2中の照射誘起欠陥の緩和時間は,200μs以下である。
3.アルゴン希釈酸素プラズマを用いたイオンアシスト酸化反応では、アルゴンイオン照射により基板表面の原子振動が励起され、酸化反応を増速する。基板に正バイアスを印加し、酸化の初期過程における照射損傷を低減することにより、130℃以下の低温においても、高品質な酸化膜を形成できる。

報告書

(3件)
  • 1999 実績報告書   研究成果報告書概要
  • 1998 実績報告書
  • 研究成果

    (18件)

すべて その他

すべて 文献書誌 (18件)

  • [文献書誌] A. Matsushita: "Thin CoSi_< 2I> Formation on SiO_< 2> with low-Energy Ion Irradiation"JPA. J. appl. Phys.. 37. 6117-6122 (1998)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      1999 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] T. Sumita: "Ion-beam modification of TiO_< 2> film to multilayered photocatalyst"Nucl. Instrum. & Methods B. 148. 758-761 (1999)

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      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      1999 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] A. Matsushita: "Characterization of CoSi_< 2> Gate Mos Structure Formed by Ion Irradiation"Res. Rep. Information Sci. and Electrical Eng. Of Kyushu Univ.. 4. 47-52 (1999)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      1999 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] A. Matsushita: "Resistance Increase in CoSi_< 2> Layer by Irradiation Induced Damage"Res. Rep. Information Sci. and Electrical Eng. Of Kyushu Univ.. 4. 53-56 (1999)

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      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      1999 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] T. Tsurushima: "Defect-active Processing: A New Skill in Defining Elemental Device Structures"Proc. of The Int. Symposium on. 73-82 (1999)

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      「研究成果報告書概要(和文)」より
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      1999 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] 松尾慎一郎: "ECRプラズマ支援Si酸化とイオン照射効果"電子情報通信学会技報. ED99-23. 87-94 (1999)

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      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      1999 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] A. Matsushita, T. Sadoh, and T. Tsurushima: ""Thin CoSiィイD22ィエD2 Formation on SiOィイD22ィエD2 with Low-Energy Ion Irradiation""Jpn. J. Appl. Phys.. Vol.37, Pt. 1, No.11. 6117-6122 (1998)

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      1999 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] T.Sumita, H. Otsuka, H. Kubota, M. Nagata, Y. Honda, R. Miyagawa, T. Tshurushima, and T. Sadoh: ""Ion-beam modification of TiOィイD22ィエD2 film to multilayered photocatalyst""Nucl. Instrum. & Methods B. Vol.148, No.1-4. 758-761 (1999)

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      1999 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] A. Matsushita, Y.-Q. Zhang, T. Sadoh, and T. Tsurushima: ""Characterization of CoSiィイD22ィエD2 Gate MOS Structure Formed by Ion Irradiation""Res. Rep. Information Sci. and Electrical Eng. of Kyushu Univ.. Vol.4, No.1. 47-52 (1999)

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      1999 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] A. Matsushita, T. Sadoh, and T. Tsurushima: ""Resistance Increase in CoSiィイD22ィエD2 Layer by Irradiation Induced Damage""Res. Rep. Information Sci. and Electrical Eng. of Kyushu Univ.. Vol.4 No.1. 53-56 (1999)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      1999 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] T. Tsurushima, T. Sadoh, H. Nakashima, and T. Kanayama: ""Defect0-active Processing: A New Skill in Defining Elemental Device Structures""Proc. of The Int. Symposium on Future of Intellectual Integrated Electronics. 73-82 (1999)

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
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      1999 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] S. Matsuo, T. Sadoh, H. Nakashima, and T. Tsurushima: ""Ion-assisted oxidation with ECR plasma : Effects of ion-irradiation""Technical Report of IEICE. ED99-23. 87-94 (1999)

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
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      1999 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] A.Matsushita: "Thin CoSi_2 Formation on SiO_2 with Low-Energy Ion Irradiation"Jpn. J. Appl. Phys.. 37. 6117-6122 (1998)

    • 関連する報告書
      1999 実績報告書
  • [文献書誌] T.Sumita: "Ion-beam modification of TiO_2 film to multilayered photocatalyst"Nucl. Instrum. & Methods B. 148. 758-761 (1999)

    • 関連する報告書
      1999 実績報告書
  • [文献書誌] A.Matsushita: "Characterization of CoSi_2 Gate MOS Structure Formed by Ion Irradiation"Res. Rep. Information Sci. and Electrical Eng. of Kyushu Univ.. 4. 47-52 (1999)

    • 関連する報告書
      1999 実績報告書
  • [文献書誌] A.Matsushita: "Resistance Increase in CoSi_2 Layer by Irradiation Induced Damage"Res. Rep. Information Sci. and Electrical Eng. of Kyushu Univ.. 4. 53-56 (1999)

    • 関連する報告書
      1999 実績報告書
  • [文献書誌] T.Tsurushima: "Defect-active Processing : A New Skill in Defining Elemental Device Structures"Proc. of The Int. Symposium on. 73-82 (1999)

    • 関連する報告書
      1999 実績報告書
  • [文献書誌] 松尾 慎一郎: "ECRプラズマ支援Si酸化とイオン照射効果"電子情報通信学会技報. ED99-23. 87-94 (1999)

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      1999 実績報告書

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公開日: 1998-04-01   更新日: 2016-04-21  

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