| 研究概要 |
これまで,化合物半導体(ZnTe)の室温エピタキシャル成長や室温原子層成長などをシンクロトロン放射光を用いて室温で実現できることを世界に先駆けて実証することにより、非加熱の結晶成長法としてシンクロトロン放射光励起成長は非常に有望な技術であることを示してきた。
そこで,本研究では,この研究を発展させるため,物性制御の可能性を検討することを主たる目的とした。具体的には,光源としては,分子科学研究所極端紫外光施設にあるシンクロトロン放射光(BL-8A 白色光)を利用し、気相反応を抑えるため,原料ガス供給時の成長室圧力を10^<-5>Torr程度と低い値を採用し,シンクロトロン放射光の利用が有用であることを示すため,原料およびドーピングガスの熱分解が困難な温度(室温〜100℃)の下で、VI/II比、基板温度などの基本パラメータに注目して系統的な研究を実施した。その結果、成長特性(各種成長条件に対する成長速度,RHEEDによる表面状態,結晶性の依存性)や結晶品質(主としてフォトルミネッセンス特性)に関してこれら基本パラメータの依存性を明かに出来た。
本研究により、ZnTe成長層には有機金属を使用しているにも拘らずカーボン等の取り込みは認めらないこと、結晶品質はキャリアガスの種類やVI/II比で大きくわかること等を明らかにし、室温で成長したZnTe膜に対してもディープレベルの発光を抑えることができること、窒素をキャリアガスに用いることにより、pタイプドーピングの可能性があることなど工学的応用の観点からも興味深い成果が得られ、その成果を各種の学会誌に公表できた。
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