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新窒素ソースを用いる有機金属気相法での精密制御InGaN積層成長と反応機構の解明

研究課題

研究課題/領域番号 10650022
研究種目

基盤研究(C)

配分区分補助金
応募区分一般
研究分野 応用物性・結晶工学
研究機関金沢工業大学

研究代表者

石井 恂  金沢工業大学, 工学部, 教授 (30222946)

研究分担者 高田 新三  金沢工業大学, 工学部, 教授 (70064467)
研究期間 (年度) 1998 – 1999
研究課題ステータス 完了 (1999年度)
配分額 *注記
4,000千円 (直接経費: 4,000千円)
1999年度: 2,200千円 (直接経費: 2,200千円)
1998年度: 1,800千円 (直接経費: 1,800千円)
キーワード有機金属気相成長 / トリメチルインジウム / トリメチルガリウム / モノメチルヒドラジン / InGaN / 四重極質量分析 / X線回折 / 有機金属気相成長法 / 四重極質量分析計
研究概要

有機金属気相成長装置の成長室内で基板の温度を室温から800℃程度にかえて、ソースを供給し生成ガスを、60Torrのもとで、四重極質量分析計にサンプリングを行い質量スペクトルの測定を行った。その結果、モノメチルヒドラジンだけを供給したときに、モノメチルヒドラジンの熱分解によってアセトニトリル、ジメチルアミン、モノメチルヒドラゾンが生成しており、これらの生成物は650℃程度の高温で分解することが、初めて、観測された。これらの生成物はトリメチルガリウムとモノメチルヒドラジンやトリメチルインジウムとモノメチルヒドラジンの混合ソースを供給したときにも観測された。しかし、モノメチルヒドラジンだけの時に比べて混合ガスでは、実効的な分解開始温度や生成温度に若干の違いが見られた。これらは、ソースの供給速度や成長室内のソースのノズルと基板の配置に依存していると思われる。
次に、新窒素ソースのモノメチルヒドラジンとIII族アルキル金属のトリメチルガリウムとトリメチルインジウムの混合ガスをソースとして、ソースの供給量や基板温度などの成長条件をかえて低圧有機金属化学気相成長法で、アモルファスGaN上にIn_xGa_<1-x>Nの成長を行い、成長条件が組成xに及ぼす影響を調べた。基板温度650から750℃で成長し、成長層をX線回折法で調べた結果、トリメチルインジウムの供給量を増加していくと単体Inのスペクトルが認められ、そのスペクトルが認められない成長条件では基板温度を高くしていくと成長層の組成xが減少すること、および、ソースのトリメチルガリウムの供給量を増加していくと組成xが増加していくことが明らかとなった。

報告書

(3件)
  • 1999 実績報告書   研究成果報告書概要
  • 1998 実績報告書
  • 研究成果

    (10件)

すべて その他

すべて 文献書誌 (10件)

  • [文献書誌] M. Ishii et al: "Organometallic Chemical Vapor Phase Deposition of InGaN Using Monomethylhydrazine-Trimethylindium-Trimethylgallium"Jpn. J. Appl. Phys.. (in Preparation).

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      1999 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] M. Ishii et al: "Thermal Decomposition of Monomethylhydrazine-Hydrogen in Low-Pressure Chemical Vapor Deposition Apparatus"Jpn. J. Appl. Phys.. (in Preparation).

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      1999 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] M. Ishii et al: "Diagnostics of Gas Reaction Using Monomethylhydrazine-Trimethylindium in Chemical Vapor Deposition Apparatus"(in Preparation).

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      1999 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] M.Ishii et al.: "Organometallic Chemical Vapor Phase Deposition of InGaN Using Monomethylhydrazine-Trimethylindium-Trimethylgallium"Jpn.J.Appl.Phys.. in preparation.

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      1999 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] M.Ishii et al.: "Thermal Decomposition of Monomethylhydrazine-Hydrogen in Low-Pressure Chemical Vapor Phase Deposition Apparatus"Jpn.J.Appl.Phys.. in preparation.

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      1999 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] M.Ishii et al.: "Diagonstics of Gas Reaction Using Monomethylhydrazine-Trimethylindium in Chemical Vapor Phase Deposition Apparatus"Jpn.J.Appl.Phys.. in preparation.

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      1999 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] M.Ishii et al.: "Organometallic Chemical Vapor Phase Deposition of InGaN Using Monomethylhydrazine-Trimethylinjium-Trimethylgallium"Jpn.J.Appl.Phys.. (in Preparation).

    • 関連する報告書
      1999 実績報告書
  • [文献書誌] M.Ishii et al.: "Thermal Decomposition of Monomethylhydrazine-Hydrogen in Low-Pressure Chemical Vapor Deposition Apparatus,"Jpn.J.Appl.Phys.. (in Preparation).

    • 関連する報告書
      1999 実績報告書
  • [文献書誌] M.Ishii et al.: "Diagonstics of Gas Reaction Using Monomethylhydrazine-Trimethylinjium in Chemical Vapor Deposition Apparatus,"Jpn.J.Appl.Phys.. (in Preparation).

    • 関連する報告書
      1999 実績報告書
  • [文献書誌] M.Ishii et al.: "Thermal Decopmosition of Monomethylhydrazine at High Temperature" Jpn.J.Appl.Phy.(発表予定).

    • 関連する報告書
      1998 実績報告書

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公開日: 1998-04-01   更新日: 2016-04-21  

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