| 研究課題/領域番号 |
10650310
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 山口大学 |
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研究代表者 |
松尾 直人 山口大学, 工学部, 助教授 (10263790)
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| 研究分担者 |
三好 正毅 山口大学, 工学部, 教授 (80107771)
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| 研究期間 (年度) |
1998 – 1999
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| 研究課題ステータス |
完了 (1999年度)
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| 配分額 *注記 |
3,400千円 (直接経費: 3,400千円)
1999年度: 200千円 (直接経費: 200千円)
1998年度: 3,200千円 (直接経費: 3,200千円)
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| キーワード | 誘電体極薄膜 / 単一電子トランジスタ / 縮退 / 非弾性散乱 / 表面量子化 / 超高真空 / ドット状極薄酸化膜 / Si共鳴トンネリングMOSトランジスタ / トンネリングMOSトランジスタ / 細線状極薄酸化膜 |
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| 研究概要 |
本研究の目的は、誘電体極薄膜を共鳴トンネリングMOSトランジスタ(Si Resonant Tunneling MOS Transistor:SRTMOST)に応用した単一電子トランジスタを提案する事であります。本期間では、以下の2点を明らかに致しました。SRTMOSTの構造上の特徴は極薄酸化膜、又は、窒化膜をチャネル両端のSi基板表面に垂直な面にもつ事であります。しかし、極薄膜のトンネル伝導はまだ解明すべき現象が残されております。第一に、n-,p-Si(100)表面に極薄酸化膜を形成し、その電気特性評価を行い、実験・理論の両面からトンネル伝導を詳細に検討致しました。縮退、非弾性散乱、表面電子化の効果の有ることを明らかにしました。第二に、理論検討によりSRTMOSTの動作を明らかに致しました。単一電子トランジスタとしての動作は勿論重要ですが、本期間の検討から、SRTMOSTが従来型MOSTの従来型MOSTの物理限界のブレークスルーになる事が明らかになりました。
実験に関しては、試料導入用高真空チャンバーを組み込み、装置作製を行いました。本装置により、Si基板表面に超高真空下において極薄酸化膜、又は、極薄窒化膜を細線状、又はドット状に形成できる様になりました。前処理後の表面モホロジーのその場評価を行い、細線状、又はドット状薄膜形成が可能になりました。
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