| 研究課題/領域番号 |
10650341
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・機器工学
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| 研究機関 | 国士舘大学 |
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研究代表者 |
竹歳 和久 国士舘大学, 電気電子工学科, 教授 (80255637)
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| 研究期間 (年度) |
1998 – 2001
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| 研究課題ステータス |
完了 (2001年度)
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| 配分額 *注記 |
3,300千円 (直接経費: 3,300千円)
2001年度: 600千円 (直接経費: 600千円)
2000年度: 700千円 (直接経費: 700千円)
1999年度: 800千円 (直接経費: 800千円)
1998年度: 1,200千円 (直接経費: 1,200千円)
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| キーワード | ZnCdTe / イメージインテンシファイア / 寿命特性 / EB利得 / 過剰雑音 / EB-利得 / ED-AMI / 電子増倍率 / S / N / 解像度 / 撮像評価実験 / 増倍利得 / 電子ミクロホトメトリ / 新構造 / 画像特性 / 寿命 / ランダムチェイン / CdTe,GaAs / EBIC動作 / 利得 |
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| 研究概要 |
EB-AMIの基礎特性を実験的に測定しEB利得、過剰雑音、解像度、最適膜厚の理論解析を行った。(1)実験特性:電子衝撃electron bombardment(EB)によるZnCdTe増倍センサを積層した新イメージ・インテンシファイア(II)を発展させた。電子衝撃利得(EB利益)は加速電圧10kvにおいて1500であった。従来のIIのように蛍光性のスクリーンと撮像素子を繋ぐファイバー・プレートがないので、増倍プロセスの解像度は高かった、画像品質は解像度、騒音特性がよく、白斑点、残像、焼付がない。エックス線照射による素子の疲労特性はなく、垂直ストライプがコントラストとして検知できない。5000時間の劣化寿命特性はa-Siと異なり極めてよく劣化は認知できなかった。素子の増倍層の焼付はCCDと異なり少い。(2)理論特性:EB-AMI型IIの増倍特性を2-10kVの範囲でMCシミュレーションにより計算し、実験によく合致した。閾値2kVはAl, Si_xN_<1-x>層の貫通損失で説明できた。最適厚は加速電圧10kVでは0.83μであった。膜内電子の横方向の広がりは0.83μで理論過剰雑音は7-1,3kVで1.2であった。以上の実験値との一致は大変よい。
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