| 研究課題/領域番号 |
10650815
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
工業物理化学
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| 研究機関 | 大阪府立大学 |
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研究代表者 |
井上 博史 大阪府立大学, 工学部, 助教授 (00213174)
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| 研究分担者 |
岩倉 千秋 大阪府立大学, 工学部, 教授 (00029183)
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| 研究期間 (年度) |
1998 – 1999
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| 研究課題ステータス |
完了 (1999年度)
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| 配分額 *注記 |
3,500千円 (直接経費: 3,500千円)
1999年度: 1,400千円 (直接経費: 1,400千円)
1998年度: 2,100千円 (直接経費: 2,100千円)
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| キーワード | 水素吸蔵金属 / パラジウム薄板 / 原子状水素 / 水素化反応 / 脱水素反応 / 反応選択性 / パラジウム黒 / 水素拡散係数 / α,β-不飽和アルデヒド |
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| 研究概要 |
本研究で得られた知見を総括すると以下のようになる。
1.Pd薄板の水素化反応側にPc黒を修飾した電極を用いて、アルキンの水素化反応を行ったところ、原子状水素生成の電流値が増大するにつれてアルカンの選択率が増大し、電流値が減少するにつれてアルケンの選択率が増大することがわかった。
2.Pd/Pd黒薄板電極を用いて、分子内にC=C結合とC=C結合をもつα,β-不飽和アルデヒドの水素化反応を行ったところ、C=C結合だけが水素化され、飽和アルデヒドが独占的に生成することがわかった。さらに、Pd/Pd黒電極上への異種金属の担持により生成物分布は変化することがわかった。
3.Pd/Pd黒薄板電極を用いてN_2Oの還元反応を行ったところ、N_2だけが生成することがわかった。また、硝酸の還元反応において、Pd/Pd黒薄板上にCuを担時した場合には、NO_2^-やN_2が選択的に生成し、Niを担時した場合には、NH_3が選択的に生成することが明らかになった。
4.pd薄板の水素化反応側にPd黒を修飾し、裏側を原子状水素の酸化電位に保つことにより、ギ酸の脱水素反応システムを構築できることがわかった。また、透過した原子状水素の酸化電流の経時変化をコンピュータシミュレーションすることにより、Pd薄板内の水素拡散係数を決定することができ、既存値にほぼ一致することが明らかになった。
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