| 研究概要 |
本研究は、BEDT-TTF、TMTSF、BEDO-TTF、BEDT-TSFといった典型的なTTF系ドナー分子を用いた電荷移動錯体について、陰イオンの機能、特にそこに存在する局在磁気モーメントの素性(スピンの量子性、スピン波動関数の空間的広がり)に着目して物質開発及び物性研究を行うことが目的である。原子核の電荷が小さいためにd軌道の広がりが大きいこと、及び配位子場の選択によってd電子が量子局在スピン(S=1/2)を持ち得ることから最も軽い3d遷移金属Tiに着目し、これまで有機伝導体には使われていなかったTiを含む陰イオンを対象とし、典型的なTTF系ドナーとの錯体の物性研究を行うことにより、π電子に由来する新たな物理的性質の発現およびその解明を目指した。酸化物系においてVはモット絶縁体を与えることから、伝導性錯体への局在スピンの導入という観点から、Vも研究対象とした。研究の導入として、TBA・MX_4、TEA・MX_4(M=Ti,V; X=Cl,Br)の組成をもつ支持電解質の合成を、TBA・X、TEA・Xとのイオン交換反応により試みた。結果として、支持電解質の合成には成功には至らなかった。しかしながら本課題はまた糸口の段階にあり、今後とも継続すべきものであると考えられる。
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