• 研究課題をさがす
  • 研究者をさがす
  • KAKENの使い方
  1. 前のページに戻る

ニューロンMOSトランジスタを用いた高性能,高機能集積回路に関する研究

研究課題

研究課題/領域番号 10750251
研究種目

奨励研究(A)

配分区分補助金
研究分野 電子デバイス・機器工学
研究機関宮崎大学

研究代表者

淡野 公一  宮崎大学, 工学部, 助手 (50260740)

研究期間 (年度) 1998 – 1999
研究課題ステータス 完了 (1999年度)
配分額 *注記
1,500千円 (直接経費: 1,500千円)
1999年度: 500千円 (直接経費: 500千円)
1998年度: 1,000千円 (直接経費: 1,000千円)
キーワードニューロンMOSトランジスタ / 低電圧回路 / 低消費電力回路 / 乗算器 / 広入カレンジ / 低電圧 / 低消費電力 / 指数変換回路
研究概要

本研究では,ニューロンMOSトランジスタ(νMOSFET)を用いた高性能,高機能な回路を実現するための回路設計技術を確立することを目的とし、その技術を用いた種々の回路を提案している.まず,νMOSFETを用いることで,低電圧駆動,低消費連力,広入力レンジの特徴を兼ね備えた4象限動作可能なアナログ乗算器を提案した.このアナログ乗算器は,4個の3入力νMOSFETと2個の抵抗のみで実現できる簡単な回路構成となっている.νMOSFETに入力ゲートの1個をしきい電圧制御ゲートとして使用し,このゲートの電圧を正の大きな値にすることで,見かけ上のしきい電圧を負の値に設定することが可能となり,ディプレーション型MOSFETとして動作させることができる.この回路技術を使用することで回路の低電圧動作および広入力レンジ化が可能となる.提案回路は1Vの電源電圧で動作し,そのときの入力レンジ1V_<p-p>である.また,消費電力は9.56μWと極めて小さいことも確認された.次に,νMOSFETを用いた低電圧,広入力レンジ指数変換回路を提案した.提案した回路は,1個の2入力νMOSFETと6個のMOSトランジスタを用いて構成されている.提案回路では,上述の乗算器で用いた回路技術とは逆に,しきい電圧制御ゲートに小さい電圧を与えることで,見かけ上のしきい電圧を大きな値に設定し,νMOSFETの弱反転領域を移動させることが可能となる.弱反転領域は,通常,しきい電圧よりも小さな電圧の領域に限定されるが,この回路技術によってしきい電圧よりも大きな電圧の場合でも弱反転領域で動作させることが可能となる.提案回路の性能は,3Vの電源電圧で動作し,その時の入力レンジが2.5V,出力レンジが70dB,消費電力が0.38mWであることが確認された.

報告書

(2件)
  • 1999 実績報告書
  • 1998 実績報告書
  • 研究成果

    (2件)

すべて その他

すべて 文献書誌 (2件)

  • [文献書誌] Koichi Tannno: "A 1-V,1-V_<p-p> Input Range,Four-Quadrant Analog Multiplier Using Neuron-Mos Transistors"IEICE Transaction on Electronics. E82-C・5. 750-757 (1999)

    • 関連する報告書
      1999 実績報告書
  • [文献書誌] 淡野公一: "ニューロンMOSトランジスタのアッテネーション特性を利用した低電圧,低消費電力,広レンジ指数変換器" 電気学会・電子回路研究会資料. ECT99・18. 31-36 (1999)

    • 関連する報告書
      1998 実績報告書

URL: 

公開日: 1998-04-01   更新日: 2016-04-21  

サービス概要 検索マニュアル よくある質問 お知らせ 利用規程 科研費による研究の帰属

Powered by NII kakenhi