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高温超伝導ジョセフソン素子の新しい形成法-電界放射型透過電子顕微鏡の利用-

研究課題

研究課題/領域番号 10875003
研究種目

萌芽的研究

配分区分補助金
研究分野 応用物性・結晶工学
研究機関高知工科大学

研究代表者

谷脇 雅文  高知工科大学, 工学部, 教授 (20133712)

研究分担者 大貫 惣明  北海道大学, 工学部, 教授 (10142697)
鈴木 朝夫  高知工科大学, 工学部, 教授 (80016782)
研究期間 (年度) 1998
研究課題ステータス 完了 (1998年度)
配分額 *注記
2,100千円 (直接経費: 2,100千円)
1998年度: 2,100千円 (直接経費: 2,100千円)
キーワード高温超伝導 / ジョセフソン接合 / 電子顕微鏡 / 薄膜 / 照射欠陥 / レーザーアブレイション / FE-TEM / YBCO
研究概要

ジョセフソン接合作製の第一段階として、薄膜作製をおこなった。ターゲット物質との組成比のずれが少ない方法としてレーザーアブレイション法がある。本研究ではこの方法によってSrTiO_3基板上(以下STOと略す)にYBa_2Cu_3O_<7-8>薄膜(YBCO)を作製し、基板温度と結晶成長の関係を明らかにした。(110)STO基板上に堆積した薄膜のSEM観察結果では、堆積時基板温度が600℃〜625℃では表面に特に構造が見られないが、625℃から幅0.05μぐらいの模様が見られる。700℃〜725℃では、ほぼ等間隔の平行な線状の組織が現れている。さらに高温では、線状組織はあらわれないが、低温とはまた異なる表面モフォロジーが観察された。
薄膜のXRD結果は以下のことを示した。基板温度の低い場合には、アモルファス、650℃以上でYBCO結晶が現れるが、温度上昇に従って、表面の支配的な方位は(103)、(110)、(160)、(001)と変化する。断面TEM観察の結果では、基板温度625℃以下ではYBCOはほとんどアモルファスであり、650℃以上でエビタキシャル成長している。基板温度625℃の時には、界面から約40Åぐらいまでエビタキシャル成長しているが、そこから約200Åまでは多結晶、それより上はアモルファスになっている。基板温度700℃では、YBCO(110)が成長しているが、基板との格子間隔のミスマッチのために界面に近いところで、結晶配列に歪みが見られ、約20Å程度の厚さのバッファー層ができている。SEM観察で見られた規則的な線状組織は、格子のミスマッチのために生じているものと考えられる。基板温度700℃でみられる線状組織を断面TEM観察したところ、多結晶になっていた。

報告書

(1件)
  • 1998 実績報告書

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公開日: 1998-04-01   更新日: 2016-04-21  

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