• 研究課題をさがす
  • 研究者をさがす
  • KAKENの使い方
  1. 前のページに戻る

半導体凹凸基板を用いたフラーレン分子鎖の構築

研究課題

研究課題/領域番号 11165241
研究種目

特定領域研究(A)

配分区分補助金
研究機関豊田工業大学

研究代表者

吉村 雅満  豊田工業大学, 大学院・工学研究科, 助教授 (40220743)

研究分担者 上田 一之  豊田工業大学, 大学院・工学研究科, 教授 (60029212)
研究期間 (年度) 1999 – 2000
研究課題ステータス 完了 (2000年度)
配分額 *注記
4,400千円 (直接経費: 4,400千円)
2000年度: 2,400千円 (直接経費: 2,400千円)
1999年度: 2,000千円 (直接経費: 2,000千円)
キーワードシリコン / 低次元構造 / トンネル顕微鏡 / フラーレン / ナノ構造 / ナノチューブ / SiC / グラファイト / 炭素材料 / 吸着 / STM / 低次元 / Si(110)
研究概要

Si(110)清浄表面は凹凸が一次元に配列した構造をもち、その周期は約5nmである。表面の原子構造は最近我々のグループで明らかにし、シリコン5員環がペアとなり表面に配列している。本研究の特徴はこの独特な構造をナノサイズ新物質創製のためのテンプレートとして用いることである。具体的にはフラーレンをこの凹凸に沿って配列させることを目的とする。
(1)フラーレンを室温にて蒸着すると凹凸両者に吸着した。吸着位置はテラスを構成するシリコンペンタゴンユニットの中央部に位置し、テラスの中央からは多少ずれていた。この結果はペンタゴンユニットが大変反応性が高いことを示すものである。さらにこの表面をアニールすることにより分子が拡散しクラスターをつくると同時に表面のファセット化を引き起こし、ナノサイズの剣山が表面に形成された。最終段階のピン止めはSiCによるものと考えられる。
(2)今回の1次元構造はマクロスケールでは等価な異なる2つの方位が混在しており、このことは電気的測定をする上でネックとなる。そこで我々はこの方向に垂直な方向にオフセット角を有する特殊なウェハーを製作し、一方の方位が支配的になるような基盤の作成を試みた。トンネル顕微鏡で表面を観察した結果設計通りマクロスケールでも完全に一次元の基板が形成されていることを確かめた。現在この表面にフラーレンを吸着させ、電気的な特性を測定している。
(3)凹凸の周期を任意に変更することを目的として同属原子のドーピングを試みた結果、5nmの周期が8nmに増加することを見出した。この表面にもフラーレン吸着を試みる予定である。

報告書

(2件)
  • 2000 実績報告書
  • 1999 実績報告書
  • 研究成果

    (12件)

すべて その他

すべて 文献書誌 (12件)

  • [文献書誌] B.An: "Surface superstructure of carbon clusters deposited on graphite during recrystallization"J.Vac.Sci.Technol.. B19(1). 98-102 (2001)

    • 関連する報告書
      2000 実績報告書
  • [文献書誌] B.An: "Surface superstructure on fullerenes annealed at elevated temperature"J.Applied Physics. 87(8). 3763-3767 (2000)

    • 関連する報告書
      2000 実績報告書
  • [文献書誌] B.An: "Surface structure on Ar+-ion irradiated graphite by scanning probe microscopy"Jpn.J.Appl. Phys.. 39(6B). 3732-3735 (2000)

    • 関連する報告書
      2000 実績報告書
  • [文献書誌] T.An: "Surface structure of Si(110) "7x2"-Sn observed by scanning tunneling microscopy"Jpn.J.Appl. Phys.. 39(7B). 4635-4636 (2000)

    • 関連する報告書
      2000 実績報告書
  • [文献書誌] M.Yoshimura: "Observation of Si(110) surfaces by high-temperature scanning tunneling microscopy"Jpn.J.Appl.Phys.. 39(7B). 4432-4434 (2000)

    • 関連する報告書
      2000 実績報告書
  • [文献書誌] M.Yoshimura: "Observation of Si(110) surfaces by high-temperature scanning tunneling microscopy"Jpn.J.Appl.Phys.. (in press).

    • 関連する報告書
      1999 実績報告書
  • [文献書誌] T.An: "Surface structure of Si(110)"7x2"-Sn obseved by scanning tunneling microscopy"Jpn.J.Appl.Phys.. (in press).

    • 関連する報告書
      1999 実績報告書
  • [文献書誌] B.An: "Characteristics of /3x/3-R30 superstructure of graphite by scanning tunneling microscopy"Jpn.J.Appl.Phys.. (in press).

    • 関連する報告書
      1999 実績報告書
  • [文献書誌] B.An: "Surface superstructure on fullerenes annealed at elevated temperatures"J.Appl.Phys.. (in press).

    • 関連する報告書
      1999 実績報告書
  • [文献書誌] T.An: "Elemental structure in Si(110)"16x2" revealed by scanning tunneling microscopy"Phys.REV.B. 61. 3006-3011 (2000)

    • 関連する報告書
      1999 実績報告書
  • [文献書誌] M.Yoshimura: "Ni-induced surface reconstructions on Si(110) studied by scanning tunneling microscopy"Surf.Sci.. 433-435. 470-474 (1999)

    • 関連する報告書
      1999 実績報告書
  • [文献書誌] 吉村雅満: "走査型プローブ顕微鏡-基礎と未来予測 2.9 各種プローブ作製,2.10多探針STM,3.3半導体材料の評価"森田清三編著:丸善株式会社. 16 (2000)

    • 関連する報告書
      1999 実績報告書

URL: 

公開日: 1999-04-01   更新日: 2016-04-21  

サービス概要 検索マニュアル よくある質問 お知らせ 利用規程 科研費による研究の帰属

Powered by NII kakenhi