| 配分額 *注記 |
40,290千円 (直接経費: 36,900千円、間接経費: 3,390千円)
2001年度: 14,690千円 (直接経費: 11,300千円、間接経費: 3,390千円)
2000年度: 11,200千円 (直接経費: 11,200千円)
1999年度: 14,400千円 (直接経費: 14,400千円)
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| 研究概要 |
1.ダイヤモンド表面の研究 ダイヤモンドC(100)2x1単結晶表面をモデル表面として,表面の構造,物性(電子状態,表面フォノン),反応性に関する原子・分子レベルでの実験的研究を行った.用いた実験手法はLEED, EELSおよびTDSである.特に,C(100)表面上でディールスアルダー反応が起こることを見出した.共役ジエンを含む有機分子が沢山存在することを考えると,非常に多様で興味ある表面化学の新しい一研究分野を開いたと結論される.半導体表面に有機分子を共有結合させ,表面修飾できることは,マイクロエレクトロニクス,センサー,ダイヤモンド薄膜の低温成長などへの応用という観点からも非常に意義深い.
2.シリコン表面の研究 (1)Si(100)(2x1)清浄表面の表面フォノンの測定をEELSを用いて行った.EELSスペクトルから得られた情報と理論との比較,EELSの散乱機構の選択則を用いて,損失ピークの同定およびエネルギー分散関係を求めた.とりわけ,シリコン・ダイマーのロッキング・エネルギーが20meVであることを測定するのに始めて成功した.
(2)シリコン表面の反応性の研究に関しては,Si(111)7x7表面と酸素分子との相互作用について,極低温(10K)から室温(300K)までの広範囲温度領域のSTM研究を実施した.不安定反応中間体に関する新しい情報を得た.
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