| 研究概要 |
1,規整不均一触媒の調製
2つサイトが相互作用をし、高い選択性を示すVSbO4-Sb_2O_4触媒に関して、Si基板上にゾルゲル法で、平坦なVSbO_4酸化薄膜を展開し、これにレジストを塗布し、望ましいパターンを電子線リソグラフィー法で描画した後Sb_2O_4膜を展開した。XPSやXRD,AFMの測定の結果、この膜が500℃比較まで安定であり、その形が破壊されず、反応に用いることができることがわかった。
2,XPEEM装置の改良
X線源をつけ、実験室系のXPEEMの試みを行った。1スペクトル測定に長時間のため込みを必要とすることが判明し、当初の計画通り、物質構造科学研究所への移設を行いつつある。
3,反応装置の立ち上げ
規整不均一触媒の反応性を調べるため、反応装置の設計製作を行った。設計の方針として以下のことがあげられる。
(1)質量分析器による高感度、高速分析
(2)差動排気方式による高圧力反応の追跡、
(3)赤外線導入型加熱装置によるサンプル集中加熱(ホルダー等の影響をのぞく)
(4)SEM,LEED,AES等分析装置との連携
(5)熱電対による温度の厳密制御
現在、調製を終了し、標準サンプル、テストサンプルで、その性能を試験している。
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